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1.一种过氟化物之处理方法,其特征为:从含有过氟化物及矽成份的排气与水接触,而藉此来除去含于前述排气中的矽成份,之后针对添加水及水蒸气任一者之含有前述过氟化物的排气进行650℃~750℃的加热,然后供给至被填充有氧化铝系触媒的触媒层,并且利用前述触媒来分解包含于前述排气中的前述过氟化物,接着冷却包含藉由前述过氟化物的分解而生成的分解气体之排气,然后再予以排气,进行将供给至前述触媒层的前述排气加热至650℃~750℃的温度范围的控制,从前述被冷却的排气除去酸性气体,冷却含有前述分解气体的排气,是利用前述排气与冷却水的接触而进行的。2.如申请专利范围第1项之过氟化物之处理方法,其中除去来自前述排气的矽成份,是用第1矽成份除去装置及第2矽成分除去装置而进行的,将从前述第1矽成份除去装置排出的前述排气,供给至第2矽成份除去装置,在前述第2矽成份除去装置内与水与前述排气接触,在前述第1矽成份除去装置内,与来自前述第2矽成份除去装置的排水及含有前述分解气体的排气接触的前述冷却水与含有前述矽成份的排气接触。3.如申请专利范围第1项之过氟化物之处理方法,其中前述水蒸气是利用与从前述触媒层排出的前述排气和水的热交换而生成的。4.如申请专利范围第1项之过氟化物之处理方法,其中前述排气为从半导体制造装置被排出的排气。5.一种过氟化物处理装置,其特征为具备有:从含有过氟化物及矽成份的排气除去此矽成份之矽成份除去装置、和于前述矽成份除去装置排出后加热含有添加水及水蒸气任一的前述过氟化物的排气之加热装置、和被填充有分解含于从前述加热装置被排出的前述排气的过氟化物的触媒之触媒层、和冷却从前述触媒层被排出的前述排气之冷却装置,和检测供应给前述触媒层的前述排气温度之温度检测器、和根据此温度检测器的测定温度来控制前述加 热装置之控制装置,和除去含于从前述冷却装置被排出的前述排气的酸性气体之酸性气体除去装置,和使水与排气接触,而来除去前述矽成份之矽成份除去装置,前述冷却装置具备有喷射进行冷却前述排气的冷却水之喷雾装置。6.如申请专利范围第5项之过氟化物处理装置,其中前述矽成份除去装置包括有第1矽成份除去装置、及供给来自前述第1矽成份除去装置的前述排气之第2矽成份除去装置,在前述第2矽成份除去装置内设置喷射水之第1喷雾装置,将喷射来自前述第1喷雾装置被喷射的水及来自前述冷却装置的前述喷雾装置被喷射的水之第2喷雾装置设在前述第1喷雾装置内。7.如申请专利范围第5项之过氟化物处理装置,其中从前述矽成份除去装置在前述加热装置引导前述排气的管路设防止从前述加热装置对前述矽成份除去装置的前述排气逆流之逆止阀。8.如申请专利范围第5项之过氟化物处理装置,其中将前述加热器、前述触媒层及前述冷却装置以此顺序做成一体构造。9.如申请专利范围第8项之过氟化物处理装置,其中前述一体构造是做成在水平方向配置前述加热器、前述触媒层及前述冷却装置的横型,在前述触媒层的上部设有遮断未分解的过氟化物流过的折流构件。10.如申请专利范围第5项之过氟化物处理装置,其中在从前述触媒层被排出的排气与水之间进行热交换,且将生成前述水蒸气的热交换器设在前述触媒层与前述冷却装置之间。11.如申请专利范围第5项之过氟化物处理装置,其中具备有于内部形成前述触媒层的匣,以及拆卸自如地安装此匣之壳体,将前述加热器、前述壳体及前述冷却装置以此顺序做成一体构造。12.如申请专利范围第11项之过氟化物处理装置,其中具备有前述匣、及具有收纳前述匣的内管及前述壳体之反应器,前述加热器的壳体是共用前述反应器的前述壳体。13.如申请专利范围第5项之过氟化物处理装置,其中将含有过氟化物及矽成份的前述排气供给至前述矽成份除去装置的排气导入部是延伸至前述矽成份除去装置内,前述排气导入部的排气出口是位于比前述喷雾装置更下方,前述气体排出口在前述矽成份除去装置内开口为向下。14.如申请专利范围第13项之过氟化物处理装置,其中将扩散来自前述喷雾装置的喷水之扩散部,在前述矽成份除去装置内,配置在前述喷雾装置与前述排气导入部之间。15.一种半导体制造装置之排气处理装置,其特征为具备有:使从半导体制造装置被排出的过氟化物及含有矽成份的排气与水接触,而从前述排气除去前述矽成份之矽成份除去装置、和在前述矽成份除去装置的排出后加热含有添加水及水蒸气任一的前述过氟化物的排气之加热装置、和被充填有分解含于从前述加热装置被排出的前述排气的过氟化物的氧化铝系触媒之触媒层、和冷却从前述触媒被排出的前述排气之冷却装置。16.如申请专利范围第15项之半导体制造装置之排气处理装置,其中将前述加热器、前述触媒层及前述冷却装置以此顺序做成一体构造,将被一体构造的前述加热器、前述触媒层及前述冷却装置,设置在设置前述半导体制造装置的建屋内。图式简单说明:第1图系适用本发明之最适当之一实施例的过氟化物处理装置的半导体制造工厂内的乾式蚀刻装置的排气管理系统之构成图。第2图系配置第1所示的乾式蚀刻装置及过氟化物处理装置的无尘室之构成图。第3图系第1图及第2图所示之过氟化物处理装置之构成图。第4图系第3图所示的矽成份除去器之纵断面图。第5图系第3图所示的PFC分解处理单元之详细纵断面图。第6图系表示因氧化铝系触媒各PFC的分解特性之说明图。第7图系表示第5图所示的触媒匣交换作业之说明图第8图系第1图所示的过氟化物处理装置的另一实施例之构成图。第9图系PFC分解处理单元的另一实施例之纵断面图。第10图系过氟化物的另一实施例及乾式蚀刻装置配置的无尘室的另一实施例之构成图。第11图系第10图所示的过氟化物处理装置之构成图。第12图系第11图的挡板附近之纵断面图。第13图系第1图所示的过氟化物处理装置之另一实施例之纵断面图。第14图系第1图所示的过氟化物处理装置的另一实施例之构成图。 |
