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Die vorliegende Erfindung stellt ein aktives Pixel bereit, das eine Halbleiterschicht (5) mit Dotierungsmitteln eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, wobei die Halbleiterschicht (5) eine erste Region (1) und eine zweite Region (2) umfasst, beide mit Dotierungsmitteln eines zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei die erste Region (1) zum Sammeln von Ladungsträgern in der Halbleiterschicht (5) gestaltet ist, die durch elektromagnetische Strahlung erzeugt werden, wobei die erste Region (1) eine Fläche und eine Grenze dieser Fläche hat, wobei die zweite Region zum Empfangen von in der ersten Region gesammelten Ladungsträgern gestaltet ist, wobei die Halbleiterschicht (5) ferner eine dritte Region (3) mit Dotierungsmitteln des ersten Leitfähigkeitstyps mit einem höheren Dotierungsniveau als die Halbleiterschicht (5) umfasst, wobei die dritte Region (3) eine Sperrschicht bildet, um die Diffusion der Ladungsträger von der Halbleiterschicht in die zweite Region (2) im Wesentlichen zu verhindern. Über einen Teil ihrer Grenze ist die erste Region (1) von der dritten Region (3) durch eine Zone der Halbleiterschicht (5) zur Erzeugung einer Verarmungszone (9) getrennt. Die Auswirkung der Trennung ist eine Verbesserung der Verstärkung des Bauelementes.
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