发明名称 | 适用在高频和模拟中承受高电压的静电放电电路 | ||
摘要 | 一种适用于高频的静电放电电路,其包括一二极管和堆栈的NMOS晶体管串联于接脚垫和电压源之间,或是接脚垫和接地之间,借助二极管具有较小电容,有效降低接脚垫的电容,借助堆栈NMOS晶体管,使其能够承受高电压。 | ||
申请公布号 | CN1438704A | 申请公布日期 | 2003.08.27 |
申请号 | CN02105009.0 | 申请日期 | 2002.02.10 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈重辉 |
分类号 | H01L23/60;H01L27/00 | 主分类号 | H01L23/60 |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;陈红 |
主权项 | 1.一种高频静电放电电路,其特征在于:包括:第一二极管,其阳极耦接到一接脚垫;第一NMOS晶体管,其汲极耦接到第一二极管的阴极,闸汲耦接到一高电压源;第二NMOS晶体管,其汲极耦接到第一NMOS晶体管的源极,源极耦接到上述高电压源;第三NMOS晶体管,其汲极耦接到第二NMOS晶体管的闸极,源极耦接到一低电压源;一电阻,耦接于所述高电压源和第三NMOS晶体管的闸极之间;以及一电容,耦接于所述低电压源和第三NMOS晶体管得闸极之间。 | ||
地址 | 台湾省新竹 |