发明名称 适用在高频和模拟中承受高电压的静电放电电路
摘要 一种适用于高频的静电放电电路,其包括一二极管和堆栈的NMOS晶体管串联于接脚垫和电压源之间,或是接脚垫和接地之间,借助二极管具有较小电容,有效降低接脚垫的电容,借助堆栈NMOS晶体管,使其能够承受高电压。
申请公布号 CN1438704A 申请公布日期 2003.08.27
申请号 CN02105009.0 申请日期 2002.02.10
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈重辉
分类号 H01L23/60;H01L27/00 主分类号 H01L23/60
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 潘培坤;陈红
主权项 1.一种高频静电放电电路,其特征在于:包括:第一二极管,其阳极耦接到一接脚垫;第一NMOS晶体管,其汲极耦接到第一二极管的阴极,闸汲耦接到一高电压源;第二NMOS晶体管,其汲极耦接到第一NMOS晶体管的源极,源极耦接到上述高电压源;第三NMOS晶体管,其汲极耦接到第二NMOS晶体管的闸极,源极耦接到一低电压源;一电阻,耦接于所述高电压源和第三NMOS晶体管的闸极之间;以及一电容,耦接于所述低电压源和第三NMOS晶体管得闸极之间。
地址 台湾省新竹
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