| 发明名称 | 一种器件转移方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种器件转移方法，属于微电子领域。包括利用阳极氧化方法在单晶硅上制作具有分层结构的多孔硅和将衬底沿多孔硅层分离，其特征在于：(1)分层结构的多孔硅是在P-或n-Si(100)衬底上制作的，其工艺是在HF/酒精或HF/水溶液中先采用5mA/cm<SUP>2</SUP>较小的电流密度，再采用25mA/cm<SUP>2</SUP>较大的电流密度；(2)在多孔硅上实现上层硅外延生长，外延的单晶硅的厚度为2-15μm；在外延层上制作电路或器件，并进行封装前的分散处理；(3)采用贴片技术将电路或器件倒装键合在特定衬底上。依本发明制作的电路或器件具有散热好、功耗低，在大功率器件以及移动通信系统所使用的射频电路方面将会有重要应用，并利于与MCM(多芯片模块)技术相结合。 | ||
| 申请公布号 | CN1119830C | 申请公布日期 | 2003.08.27 |
| 申请号 | CN00115500.8 | 申请日期 | 2000.04.27 |
| 申请人 | 中国科学院上海冶金研究所 | 发明人 | 王连卫;刘卫丽;沈勤我;林成鲁 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振苏;沈德新 |
| 主权项 | 1、一种器件转移方法，包括利用阳极氧化方法在单晶硅上制作具有 分层结构的多孔硅和将衬底沿多孔硅层分离，其特征在于： (1)分层结构的多孔硅是在P-或n-Si(100)衬底上制作的，其工艺是 在HF/酒精或HF/水溶液中先采用5mA/cm<sup>2</sup>较小的电流密度，再采用 25mA/cm<sup>2</sup>较大的电流密度； (2)在多孔硅上实现上层硅外延生长，外延的单晶硅的厚度为2-15μm； 在外延层上制作电路或器件，并进行封装前的分割处理； (3)采用贴片技术将电路或器件倒装键合在特定衬底上。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁路865号 | ||