| 发明名称 | 静电泄放保护电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于保护集成电路(IC)免受静电毁坏的静电泄放保护电路，该电路从能够处理高频率和承受低电压的CMOS材料中形成。此静电泄放保护电路含有NMOS晶体管，该NMOS晶体管是指向相反方向的二极管连接的晶体管，并联在地线和一条连接IC的输入端和一个包含在放大器中的NMOS晶体管的栅极的线之间。此静电泄放保护电路对冲击电压具有高的抵抗力，而不会引起包括噪声和信号损失的高频特性变坏。采用此新的静电泄放保护电路，不需要明显增加IC的尺寸，由于需要更少的制造步骤来生产，该静电保护电路也具有好的成本效果。 | ||
| 申请公布号 | CN1438706A | 申请公布日期 | 2003.08.27 |
| 申请号 | CN02160864.4 | 申请日期 | 2002.12.27 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 麻殖生健二 |
| 分类号 | H01L23/60;H01L27/04 | 主分类号 | H01L23/60 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种静电泄放保护电路，包括：一条连接集成电路的压焊块和内部放大器的输入端的线；和具有多个二极管的第一和第二二极管连接，它们被平行连接在所述线和地线之间。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||