消除浅沟槽隔离中的边沟的方法

摘要

一种消除边沟的浅沟槽隔离方法，包括：一绝缘层形成在一底材上；一氮遮罩层形成在此绝缘层上；此氮遮罩层和绝缘层经由图案转移并蚀刻至暴露出部分的底材上，此暴露的部分底材形成为隔离结构的边界区；其次，一多晶硅层形成在此沟槽的内表面及在氮遮罩层上，进行一氧化步骤使多晶硅层成为第一氧化层；沉积一绝缘物质层，填充覆盖在沟槽中及第一氧化层上形成第二氧化层；第二氧化层经平坦化后暴露出氮遮罩层；接着移除氮遮罩层和绝缘层，最后第二氧化层与第一氧化层一起形成浅沟槽隔离结构。

主权项

1.一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，至少包含：提供一底材，该底材中具有一浅沟槽开口；沉积一内衬多晶硅层在该浅沟槽开口中以及该底材上；氧化该内衬多晶硅层以形成一内衬第一氧化层；以及填入一第二氧化层于该浅沟槽开口中。