| 发明名称 | 一种去除停止层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种去除停止层的方法，首先，提供一半导体基板，并于半导体基板上依序形成一停止层及一具有接触窗的介电层；接着，以氢气与氟碳气体的混合气体蚀刻停止层；最后，以溶剂清洗接触窗的底部。可有效减少对半导体基板的介电常数的影响，进而降低溶剂的使用量及内联机的损耗，更可确保内联连线的导通品质。 | ||
| 申请公布号 | CN1438681A | 申请公布日期 | 2003.08.27 |
| 申请号 | CN02105013.9 | 申请日期 | 2002.02.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈昭成;傅健忠 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/302;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种去除停止层的方法，包括下列步骤：提供一半导体基板；于该半导体基板上依序形成一停止层及一具有接触窗的介电层；以氢气与氟碳气体的混合气体蚀刻该停止层；及以溶剂清洗该接触窗的底部。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||