| 发明名称 |
Electrostatic discharge protection structure |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1223620(A3) |
申请公布日期 |
2003.08.27 |
| 申请号 |
EP20010129742 |
申请日期 |
2001.12.13 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PTE LTD. |
发明人 |
DAI, JUN;LO, KENG FOO |
| 分类号 |
H01L23/62;H01L27/02;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/02 |
主分类号 |
H01L23/62 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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