| 主权项 |
1.一种半导体构装元件,包括:一载板具有至少一凹槽于该载板上;至少一第一晶片(chip),该第一晶片具有一背面(backsurface)及包括复数个第一焊垫(bonding pads)的一主动面(active surface),该第一晶片固定于该凹槽中,并暴露出该主动面;一第一绝缘层于该载板与该主动面上,复数个第一穿接导体穿透该第一绝缘层并连接该等第一焊垫;一多层结构于该第一绝缘层上,该多层结构包含复数条布局导线、复数个第二穿接导体、数个与该等第二穿接导体各别连接之锡球焊垫与覆晶焊垫,及至少一第二绝缘层,并暴露出该等锡球焊垫(ballpad)与覆晶焊垫于该多层结构上,其中该等布局导线、该等第二穿接导体、该等覆晶焊垫及该等锡球焊垫与该等第一穿接导体有电性上的连接;复数个第一锡球(solder ball)固定于该等锡球焊垫上;及至少一第二晶片经由复数个第二锡球固定于该等覆晶焊垫上。2.如申请专利范围第1项之半导体构装元件,其中上述载板之材料选自于矽晶圆基板、陶瓷基板、玻璃基板、有机材料基板或上述组合所组成的族群之中。3.如申请专利范围第1项之半导体构装元件,其中上述载板选自于具有一电路布局的陶瓷基板、有机材料基板或上述组合所组成的族群之中。4.如申请专利范围第1项之半导体构装元件,其中上述锡球焊垫可位于选自以下位置所组成的族群之一:该第一晶片上方、该第一晶片上方之周围或上述之组合。5.如申请专利范围第1项之半导体构装元件,其中上述覆晶焊垫分布于选自以下位置所组成的族群之一:该第一晶片上方、该第一晶片上方之周围或上述之组合。6.如申请专利范围第1项之半导体构装元件,其中上述第一锡球的一高度高于该等第二锡球与该第二晶片的一总和高度。7.一种半导体构装元件,包括:一载板具有至少一穿透该载板的沟槽(slot);至少一第一晶片(chip)固定于该沟槽中,并暴露出该第一晶片的一背面(back surface)及一主动面(activesurface),该主动面包括复数个第一焊垫(bonding pads);一第一绝缘层于该载板与该主动面上,复数个第一穿接导体穿透该第一绝缘层并连接该等第一焊垫;一多层结构于该第一绝缘层上,该多层结构包含复数条布局导线、复数个第二穿接导体、数个与该等第二穿接导体各别连接之锡球焊垫与覆晶焊垫,及至少一第二绝缘层于其上,并暴露出锡球焊垫(ball pad)与覆晶焊垫于该多层结构上,其中该等布局导线、该等第二穿接导体、该等覆晶焊垫及该等锡球焊垫与该等第一穿接导体有电性上的连接;复数个第一锡球(solder ball)固定于该等锡球焊垫上;及至少一第二晶片经由复数个第二锡球与该等覆晶焊垫相连接。8.如申请专利范围第7项之半导体构装元件,其中上述载板之材料选自于矽晶圆基板、陶瓷基板、玻璃基板、有机材料基板或上述组合所组成的族群之中。9.如申请专利范围第7项之半导体构装元件,其中上述载板选自于具有一电路布局的陶瓷基板、有机材料基板或上述组合所组成的族群之中。10.如申请专利范围第7项之半导体构装元件,其中上述锡球焊垫可位于选自以下位置所组成的族群之一:该第一晶片上方、该第一晶片上方之周围或上述之组合。11.如申请专利范围第7项之半导体构装元件,其中上述覆晶焊垫分布于选自以下位置所组成的族群之一:该第一晶片上方、该第一晶片上方之周围或上述之组合。12.如申请专利范围第7项之半导体构装元件,其中上述第一锡球的一高度厚于该等第二锡球与该第二晶片的一总和高度。13.一种半导体构装元件,包括:一具有一电路布局之载板,该载板具有一第一表面及一第二表面,该第一表面包含复数个锡球焊垫(ball pad),该第二表面包含至少一凹槽于该载板上及复数个第一焊垫(bonding pad);至少一第一晶片(chip)具有一背面(back surface)及包括复数个第二焊垫(bonding pads)的一主动面(activesurface)。该第一晶片固定于该凹槽中,并暴露出该主动面;一第一绝缘层于该载板与该主动面上,复数个第一穿接导体穿透该第一绝缘层,部分该等第一穿接导体与该等第二焊垫相连接;一多层结构于该第一绝缘层上,该多层结构包含复数条布局导线于其中、复数个覆晶焊垫、数个与该等第二穿接导体各别连接之锡球焊垫与覆晶焊垫、及一第二绝缘层于其上,其中该等覆晶焊垫暴露于该第二绝缘层上,且该第二绝缘层具有复数个第二穿接导体与该等覆晶焊垫连接,该等布局导线、该等第二焊垫、该等第二穿接导体与该等覆晶焊垫有电性上的连接;其中该等布局导线、该等第二焊垫、该等第一穿接导体、该电路布局与该等锡球焊垫有电性上的连接;复数个第一锡球(solder ball)固定于该等锡球焊垫上;及至少一第二晶片经由复数个第二锡球与该等覆晶焊垫相连接。14.如申请专利范围第13项之半导体构装元件,其中上述载板选自于陶瓷基板、有机材料基板或上述组合所组成的族群之中。15.如申请专利范围第13项之半导体构装元件,其中上述覆晶焊垫分布于选自以下位置所组成的族群之一:该第一晶片上方、该第一晶片上方之周围或上述之组合。图式简单说明:第一图为一流程示意图,用以说明本发明的制造流程。第二图为一正面示意图用以说明本发明的晶片与载板相关位置。第三图说明本发明以第二图中2A-2A剖线之晶片封装的若干剖面示意图。第四图说明本发明以第二图中2A-2A剖线之晶片封装的另一剖面示意图。第五图本发明以第二图中2A-2A剖线之晶片封装的又一剖面示意图。第六图本发明以第二图中2A-2A剖线之晶片封装的又一剖面示意图。第七图则本发明以第二图中3A-3A剖线之晶片封装的剖面示意图。 |
