发明名称 焊料凸块结构
摘要 一种焊料凸块结构,适于配置在晶片之焊垫上,此焊料凸块结构具有一球底金属层及一焊料凸块。其中球底金属层系配置于焊垫上,而焊料凸块则配置于球底金属层上,而焊料凸块之组成成分包括锡,而焊料凸块更具有许多金属粒子,其掺杂于焊料凸块之内部,且这些金属粒子系与焊料凸块之组成成分锡反应生成介金属化合物。此外,这些金属粒子之组成成分系分别选自于由铜、银及镍所组成族群中之一种材质。
申请公布号 TW548771 申请公布日期 2003.08.21
申请号 TW091123177 申请日期 2002.10.08
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈慈佑;唐和明;李俊哲;陶恕;吴政达;张志煌;郑博仁
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种焊料凸块结构,适于配置在一晶片之一焊垫上,该焊料凸块结构包括:一球底金属层,配置于该焊垫上;以及一焊料凸块,配置于该球底金属层上,其中该焊料凸块之组成成分包括锡,而该焊料凸块更具有复数个金属粒子,其掺杂于该焊料凸块之内部,且至少一该些金属粒子系与该焊料凸块之组成成分锡反应生成介金属化合物。2.如申请专利范围第1项所述之焊料凸块结构,其中该些金属粒子之组成成分系分别选自于由铜、银及镍所组成族群中之一种材质。3.如申请专利范围第1项所述之焊料凸块结构,其中该球底金属层具有:一黏着层,配置于该焊垫上;一阻障层,配置于该黏着层上;以及一沾附层,配置介于该阻障层及该焊料凸块之间。4.如申请专利范围第3项所述之焊料凸块结构,其中该黏着层之组成成分包括铝及钛其中之一。5.如申请专利范围第3项所述之焊料凸块结构,其中该阻障层层之组成成分包括镍钒合金。6.如申请专利范围第3项所述之焊料凸块结构,其中该沾附层之组成成分包括铜。7.一种焊料凸块,适于配置在一晶片之一焊垫上,其中该焊料凸块之组成成分包括锡,而该焊料凸块更具有复数个金属粒子,其掺杂于该焊料凸块之内部,且至少一该些金属粒子系与该焊料凸块之组成成分锡反应生成介金属化合物。8.如申请专利范围第7项所述之焊料凸块,其中该些金属粒子之组成成分系分别选自于由铜、银及镍所组成族群中之一种材质。图式简单说明:第1图为习知之焊料凸块结构,其应用于一覆晶晶片结构的剖面示意图;以及第2图为本发明之较佳实施例的焊料凸块结构,其应用于一覆晶晶片结构的剖面示意图。
地址 高雄市楠梓区加工出口区经三路二十六号