| 主权项 |
1.一种动态非接触式光学侦测方法,应用于辨识不同种类半导体晶圆,该量测方法至少包含:一侦测器发出一连续光线在间隔一预定距离下扫瞄一半导体晶圆;以及该侦测器接收该连续光线之反射光,并转换成一数位讯号,并比对该数位讯号之数値变化趋势和已知样本资料,去辨识该半导体晶圆的种类。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该连续光线之光源是发光二极体(LED)或雷射二极体(LD)。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该预定距离的范围约在5mm到50mm之间。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中扫瞄该半导体晶圆系以动态方式扫瞄。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该动态方式系该侦测器和该半导体晶圆之间做相对运动。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该侦测器至少包含一光发射器和一光接收器。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该侦测器接收该连续光线之反射光经过一类比数位转换器转换成该数位讯号。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中比对该数位讯号之数値变化方式可应用微处理器。9.一种动态非接触式光学侦测方法,应用于辨识不同种类半导体晶圆,该量测方法至少包含:一光发射器发出一连续光线在间隔一预定距离下扫瞄一正在移动之半导体晶圆;一光接收器接收该连续光线之反射光,并经由一类比数位转换器转成一数位讯号;以及应用一微处理器比对该数位讯号之数値变化方式,去辨识该半导体晶圆的特征。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该连续光线之光源是发光二极体(LED)或雷射二极体(LD)。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该预定距离的范围约在5mm到50mm之间。图式简单说明:第1图系绘示依照本发明一较佳实施例的示意图;以及第2图绘示依照本发明一较佳实施例所需辨识的晶圆种类及数位讯号的数値对时间的变化情形。 |
