| 主权项 |
1.一种导体柱的形成方法,适合于一基材上制作复数个导体柱,该方法至少包括:提供一导体线材;提供一治具,该治具上配置有复数个线材引导头,其中该些线材引导头系利用电弧瞬间对该导体线材进行加热;将该导体线材引导至该些线材引导头内,藉由该些线材引导头瞬间融熔该导体线材,以于该些线材引导头下方形成复数个滴状导体;以及移动该些线材引导头,以将该些导体柱形成于该基材上。2.如申请专利范围第1项所述之导体柱的形成方法,其中该些导体线材可选自铝、金、银、铜、铂、锌、锡铅合金其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之导体柱的形成方法,其中该导体线材包括:一第一导体线材;以及至少一第二导体层,该第二导体层包覆于该第一导体线材外。4.如申请专利范围第3项所述之导体柱的形成方法,其中该第一导体线材系为锡线材,而该第二导体层系为铜层。5.如申请专利范围第3项所述之导体柱的形成方法,其中该第一导体线材系为铜线材,而该第二导体层系为锡层。6.如申请专利范围第3项所述之导体柱的形成方法,其中该第一导体线材系为合金刚材,而该第二导体层包括锡、银其中之一。7.如申请专利范围第1项所述之导体柱的形成方法,其中该导体线材之直径系介于1微米至200微米之间。8.如申请专利范围第1项所述之导体柱的形成方法,其中该些线材引导头的移动方式包括:将该些线材引导头往靠近基材方向移动,以使得该些滴状导体附着于该基材上;以及将该些线材引导头往远离基材方向,以控制该些导体柱之高度与尺寸。9.如申请专利范围第1项所述之导体柱的形成方法,其中该些线材引导头的移动力式包括:将该些线材引导头往靠近基材方向移动,以使得该些滴状导体附着于该基材上;将该些线材引导头往远离基材方向,以控制该些导体柱之高度与尺寸;以及重复上述步骤至少一次。10.如申请专利范围第1项所述之导体柱的形成方法,其中该基材系为一印刷电路板。11.如申请专利范围第1项所述之导体柱的形成方法,其中该基材系为一封装用之承载器。12.如申请专利范围第1项所述之导体柱的形成方法,其中该基材系为一晶圆。13.一种积层基板制程,至少包括:提供一载具,该载具上配置有一第一导体层;于该第一导体层上形成复数个导体柱;于该第一导体层上形成一第一介电层,其中该第一介电层系将该些导体柱包覆,且该些导体柱的顶端系暴露于该第一介电层表面,其中该些导体柱的形成方法包括:提供一导体线材;提供一治具,该治具上配置有复数个线材引导头,其中该些线材引导头系利用电弧瞬间对该导体线材进行加热;将该导体线材引导至该些线材引导头内,藉由该些线材引导头瞬间融熔该导体线材,以于该些线材引导头下方形成复数个滴状导体;移动该些线材引导头,以于该第一导体层上形成该些导体柱;于该第一介电层上形成一第二导体层;定义该第一导体层及该第二导体层,以使得该第一导体层与该第二导体层图案化;以及于该第一导体层及该第二导体层上进行至少一增层制作。14.如申请专利范围第13项所述之积层基板制程,其中该些导体线材可选自铝、金、银、铜、铂、锌、锡铅合金其中之一。15.如申请专利范围第13项所述之积层基板制程,其中该导体线材包括:一第一导体线材;以及至少一第二导体层,该第二导体层包覆于该第一导体线材外。16.如申请专利范围第15项所述之积层基板制程,其中该第一导体线材系为锡线材,而该第二导体层系为铜层。17.如申请专利范围第15项所述之积层基板制程,其中该第一导体线材系为铜线材,而该第二导体层系为锡层。18.如申请专利范围第15项所述之积层基板制程,其中该第一导体线材系为合金刚材,而该第二导体层包括锡、银其中之一。19.如申请专利范围第13项所述之积层基板制程,其中该导体线材之直径系介于1微米至200微米之间。20.如申请专利范围第13项所述之积层基板制程,其中该些线材引导头的移动方式包括:将该些线材引导头往靠近基材方向移动,以使得该些滴状导体附着于该基材上;以及将该些线材引导头往远离基材方向,以控制该些导体柱之高度与尺寸。21.如申请专利范围第13项所述之积层基板制程,其中该些线材引导头的移动方式包括:将该些线材引导头往靠近基材方向移动,以使得该些滴状导体附着于该基材上;将该些线材引导头往远离基材方向,以控制该些导体柱之高度与尺寸;以及重复上述步骤只少一次。22.如申请专利范围第13项所述之积层基板制程,其中该些导体柱之高度系高于该第一介电层1至10微米之间。23.如申请专利范围第13项所述之积层基板制程,其中该第一介电层包括一板状之介电层,该板状之介电层被该些第一导体柱刺穿。24.如申请专利范围第13项所述之积层基板制程,其中该第一介电层形成的方式包括旋涂。25.如申请专利范围第13项所述之积层基板制程,其中该第一介电层形成的方式包括帘流涂布。26.如申请专利范围第13项所述之积层基板制程,其中该第一介电层形成之后更包括:对该第一介电层进行一固化的动作;以及对该些导体柱的顶端进行一压印的动作。27.如申请专利范围第13项所述之积层基板制程,其中该增层制作包括:于该第一导体层及该第二导体层上形成复数个第二导体柱;于该第一导体层上形成一第二介电层;于该第二介电层上形成一第三导体层,并将该第三导体层图案化;于该第二导体层上形成一第三介电层;以及于该第三介电层上形成一第四导体层,并将该第四导体层图案化。28.如申请专利范围第13项所述之积层基板制程,其中该增层制作包括:于该第一导体层及该第二导体层上形成复数个第二导体柱;于该第一导体层上形成一第二介电层;于该第二介电层上形成一第三导体层,并将该第三导体层图案化;以及重复上述步骤至少一次。29.如申请专利范围第28项所述之积层基板制程,其中该第二介电层包括一板状之介电层,该板状之介电层被该些第二导体柱刺穿。30.如申请专利范围第28项所述之积层基板制程,其中该第二介电层形成的方式包括旋涂。31.如申请专利范围第28项所述之积层基板制程,其中该第二介电层形成的方式包括帘流涂布。32.如申请专利范围第28项所述之积层基板制程,其中该第三介电层包括一板状之介电层,该板状之介电层被该些第二导体柱刺穿。33.如申请专利范围第28项所述之积层基板制程,其中该第三介电层形成的方式包括旋涂。34.如申请专利范围第28项所述之积层基板制程,其中该第三介电层形成的方式包括帘流涂布。35.如申请专利范围第28项所述之积层基板制程,其中将该第三导体层图案化包括下列步骤:于该第二介电层形成一种子层;于该种子层上形成该第三导体层;于该第三导体层上形成一光阻;移除未受该光阻覆盖之该第三导体层及该种子层;以及剥除该光阻。36.如申请专利范围第28项所述之积层基板制程,其中将该第三导体层图案化包括下列步骤:于该第二介电层形成一种子层;于该种子层上形成一光阻,以将部份之种子层暴露;于暴露之该种子层上形成该第三导体层;剥除该光阻;以及移除该种子层以及部份厚度之该第三导体层。37.如申请专利范围第28项所述之积层基板制程,其中将该第四导体层图案化包括下列步骤:于该第三介电层形成一种子层;于该种子层上形成该第四导体层;于该第四导体层上形成一光阻;移除未受该光阻覆盖之该第四导体层及该种子层;以及剥除该光阻。38.如申请专利范围第28项所述之积层基板制程,其中将该第四导体层图案化包括下列步骤:于该第三介电层形成一种子层;于该种子层上形成一光阻,以将部份之种子层暴露;于暴露之该种子层上形成该第四导体层;剥除该光阻;以及移除该种子层以及部份厚度之该第四导体层。图式简单说明:第1图至第9图绘示为习知积层基板制作的流程剖面示意图;第10图至第19图绘示为依照本发明第一实施例积层基板制作的流程剖面示意图;第10图至第17图以及第20图至第23图绘示为依照本发明第二实施例积层基板制作的流程剖面示意图;第24图至第36图绘示为依照本发明第三实施例积层基板制作的流程剖面示意图;第37图与第38图绘示为第30图与第31图的另一种作法;以及第39图至第44图绘示为依照本发明第四实施例积层基板制作的流程剖面示意图。 |
