发明名称 经NOx处理之混合金属氧化物触媒
摘要 一种包括混合金属氧化物之触媒,可用于烷类或烷类与烯类之混合物气相氧化成不饱和羟酸且用于使烷类或烷类与烯类之混合物气相氨氧化成不饱和。
申请公布号 TW548133 申请公布日期 2003.08.21
申请号 TW091106649 申请日期 2002.04.02
申请人 罗门哈斯公司 发明人 安 梅伊 盖夫尼;米契尔 朶林 海夫纳;罗西 宋
分类号 B01J23/00 主分类号 B01J23/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种改良触媒性能特性之方法,包括下列步骤:a)提供具有下式之混合金属氧化物之前驱物:AaDbEcXdOe其中A系选自Mo及W所成组群之至少一个元素,D为选自V及Ce所成组群之至少一个元素,E为选自Te、Sb及Se所成组群之至少一个元素,及X系选自X为选自Nb、Ta、Ti、Al、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ni、Pt、Sb、Bi、B、In、As、Ge、Sn、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Hf、Pb、P、Pm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu之至少一种元素;及a=1.b=0.01至1.0,c=0.01至1.0.d=0.01至1.0及e与其他元素之氧化态有关;b)于该前驱物中添加NOx源形成混合物;及c)锻烧该混合物同时该混合物中存在有该NOx。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该NOx源系选自硝酸、硝酸铵、亚硝酸铵、NO、NO2或其混合物。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该NOx源为硝酸。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该提供步骤(a)包含于至少一种溶剂中形成金属化合物(其至少一种含氧)之混合物。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该添加步骤(b)包含添加气态之该NOx源。6.一种制造不饱和羧酸之方法,包括在含有具有下式之混合金属氧化物之触媒存在下,使烷类或烷类与烯类之混合物进行气相催化氧化反应:AaDbEcXdOe其中A系选自Mo及W所成组群之至少一个元素,D为选自V及Ce所成组群之至少一个元素,E为选自Te、Sb及Se所成组群之至少一个元素,及X系选自X为选自Nb、Ta、Ti、Al、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ni、Pt、Sb、Bi、B、In、As、Ge、Sn、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Hf、Ag、Pb、P、Pm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu之至少一种元素;及a=1.b=0.01至1.0,c=0.01至1.0,d=0.01至1.0及e与其他元素之氧化态有关,该触媒组合物系使包含触媒前驱物及用以改良触媒性能之NOx源之混合物锻烧而得。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该NOx源系选自硝酸、硝酸铵、亚硝酸铵、NO、NO2或其混合物。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该NOx源为硝酸。9.一种制造不饱和之方法,包括在含有具有下式之促进之混合金属氧化物之触媒存在下,使烷类或烷类与烯类之混合物与氨进行气相催化氧化反应:AaDbEcXdOe其中A系选自Mo及W所成组群之至少一个元素,D为选自V及Ce所成组群之至少一个元素,E为选自Te、Sb及Se所成组群之至少一个元素,及X系选自X为选自Nb、Ta、Ti、Al、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ni、Pt、Sb、Bi、B、In、As、Ge、Sn、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Hf、Ag、Pb、P、Pm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu之至少一种元素;及a=1,b=0.01至1.0,c=0.01至1.0,d=0.01至1.0及e与其他元素之氧化态有关,该触媒组合物系使包含触媒前驱物及用以改良触媒性能之NOx源之混合物锻烧而得。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该NOx源系选自硝酸、硝酸铵、亚硝酸铵、NO、NO2或其混合物。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该NOx源为硝酸。12.一种改良之触媒组合物,含有具有下式之混合金属氧化物:AaDbEcXdOe其中A系选自Mo及W所成组群之至少一个元素,D为选自V及Ce所成组群之至少一个元素,E为选自Te、Sb及Se所成组群之至少一个元素,及X系选自X为选自Nb、Ta、Ti、Al、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ni、Pt、Sb、Bi、B、In、As、Ge、Sn、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Hf、Ag、Pb、P、Pm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu之至少一种元素;及a=1.b=0.01至1.0,c=0.01至1.0,d=0.01至1.0及e与其他元素之氧化态有关;其中该触媒组合物经处理至在X-射线绕射角度(2)22.1、27.1、28.2 、36.2、45.2及50.0显现绕射峰,而当与相同化学式而未处理之触媒相较在27.1度之绕射角度(2)之绕射峰相对增加。
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