发明名称 多重电源控制电路
摘要 本案系为提供一种多重电源控制电路,其系接收一比较电路所产生之一输出讯号,该电路系包含:一电位转换电路,电连接于该比较电路并接收一第一电压值及一第二电压值,用以因应该输出讯号之控制,进而产生一第一电压准位及一第二电压准位;以及一输出电路,电连接于该电位转换电路,用以因应该第一电压准位及第二电压准位之控制,以决定输出该第一电压值及该第二电压值两者之一。
申请公布号 TW548613 申请公布日期 2003.08.21
申请号 TW090129130 申请日期 2001.11.23
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 吴立德;王锡源
分类号 G09G1/00 主分类号 G09G1/00
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中正区忠孝东路一段一七六号九楼
主权项 1.一种多重电源控制电路,其系接收一比较电路所产生之一输出讯号,该多重电源控制电路系包含:一电位转换电路,电连接于该比较电路并接收一第一电压値及一第二电压値,用以因应该输出讯号之控制,进而产生一第一电压准位及一第二电压准位;以及一输出电路,电连接于该电位转换电路,用以因应该第一电压准位及第二电压准位之控制,以决定输出该第一电压値及该第二电压値两者之一。2.如申请专利范围第1项所述之电路,其中该比较电路系接收该第一电压値及该第二电压値。3.如申请专利范围第2项所述之电路,其中该比较电路系用以比较该第一电压値及该第二电压値之大小关系,而产生该输出讯号。4.如申请专利范围第1项所述之电路,其中该电位转换电路系由一反向器(inverter)、二个P型金属氧化半导体电晶体(PMOS)及二个N型金属氧化半导体电晶体(NMOS)所组成。5.如申请专利范围第1项所述之电路,其中该输出电路系由二个P型金属氧化半导体电晶体(PMOS)所组成。6.如申请专利范围第1项所述之电路,其中该多重电源控制电路所输出之电压値系用以提供一P型金属氧化半导体电晶体(PMOS)之基板所需之电压。7.如申请专利范围第6项所述之电路,其中该p型金属氧化半导体电晶体系置于一液晶显示装置之内部晶片。8.如申请专利范围第6项所述之电路,其中该多重电源控制电路系用以避免漏电流经由该p型金属氧化半导体电晶体之源极或是汲极流至该P型金属氧化半导体电晶体(PMOS)之基板。9.一种多重电源控制电路,其系接收一比较电路所产生之一输出讯号,该多重电源控制电路系包含:一电位转换电路,电连接于该比较电路并接收该第一电压値及该第二电压値,用以因应该输出讯号之控制,来转换该电位转换电路之输出电压准位,俾使输出一第一电压准位及一第二电压准位。10.如申请专利范围第9项所述之电路,其中该比较电路系用以比较该第一电压値及该第二电压値之大小关系,而产生该输出讯号。11.如申请专利范围第9项所述之电路,其中该电为转换电路系由一反向器(inverter)、二个p型金属氧化半导体电晶体(PMOS)及二个N型金属氧化半导体电晶体(NMOS)所组成。12.如申请专利第9项所述之电路,其中该电位转换电路输出之该第一电压准位及该第二电压准位系用以提供二个需要不同电压准位之电路使用。图式简单说明:第一图:其系本案习知技术之电路图。第二图(a)(b):其系本案较佳实施例之电路图。第三图:其系第二图(a)电路上几个特定点及输出电压之电压模拟图。
地址 新竹市新竹科学工业园区研新三路四号