| 主权项 |
1.一种制作一半导体元件的方法,包括以下步骤:a.在一半导体基板上形成绝缘隔离、闸极氧化矽层和闸极多晶矽层,并形成淡掺杂源/汲极区;b.在闸极多晶矽层的侧壁形成间隙壁;c.形成NMOS之源/汲极以及PMOS之源/汲极;d.对PMOS进行一额外之离子布植,其中该额外之离子布植系用以延迟(retard)后续在PMOS上之自动对准金属矽化物的形成;e.沈积一用以形成该自动对准金属矽化物之金属层于该半导体基板之全部表面上;f.对该半导体基板进行一第一次快速高温回火(RTA);以及g.对该半导体基板进行一选择性蚀刻,以在该半导体基板表面上形成自动对准该等源/汲极和闸极之接触区(contact areas);其中,该第一次快速高温回火(RTA)的进行温度,系为一低于Ts之温度,其中该Ts系为在该额外离子布植区之该金属层中,已反应(reacted)金属经加热而全部转变(transformation)成不易为该选择性蚀刻去除的一特定相态(phase)之金属矽化物时的温度。2.如申请专利范围第1项所述之方法,在步骤g之后,该方法还包括一对该半导体基板进行一第二次快速高温回火(RTA),以形成该自动对准金属矽化物于该等源/汲极和闸极多晶矽层上的步骤。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,藉由调整该额外之离子布植的杂子植入浓度,以便在PMOS上形成较平常情况为薄之金属矽化物,同时在NMOS上形成较平常情况为厚之金属矽化物。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该自动对准金属矽化物系为CoSi2,且对PMOS所布植之离子系为一对Co的金属矽化物相态转变(phase transformation)具有延迟作用的元素(element)。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该元素系为一选自由Ti、Ta、Re和V或其等之任一组合所组成之群组。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该Ts系为在PMOS区之该Co金属层的已反应Co金属经加热而全部转变成CoSi时的温度。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第一次快速高温回火(RTA)的进行温度,系为一界于Ta和Ts之间的温度,其中该Ta系在NMOS区之该Co金属层的已反应Co金属经加热而全部转变成CoSi时的温度。8.一种使一自动对准之矽化金属制程同时形成两种不同厚度之自动对准金属矽化物的方法,其中在一已完成NMOS以及PMOS元件结构之一半导体基板上进行该自动对准之矽化金属制程,该方法系包括:在定义形成NMOS之源/汲极以及PMOS之源/汲极之后,对PMOS区域进行一额外之离子布植,并且使在该自动对准之矽化金属制程中之一第一次快速高温回火(RTA)的进行温度低于一温度Ts,其中,该额外之离子布植系用以延迟(retard)在PMOS上之自动对准金属矽化物的形成,而该Ts系为在该额外离子布植区之用以形成该自动对准金属矽化物之金属层中,已反应(reacted)金属经加热而全部转变(transformation)成不易为一选择性蚀刻酸液所去除的一特定相态(phase)之金属矽化物时的温度。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中,藉由调整该额外之离子布植的离子植入浓度,以便在PMOS上形成较平常情况为薄之金属矽化物,同时在NMOS上形成较平常情况为厚之金属矽化物。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该自动对准金属矽化物系为CoSi2,且对PMOS所布植之离子系为一对Co的金属矽化物相态转变(phase transformation)具有延迟作用的元素(element)。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该元素系为一选自由Ti、Ta、Re和V或其等之任一组合所组成之群组。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该TS系为在PMOS区之该Co金属层的已反应Co金属经加热而全部转变成CoSi时的温度。13.一种使一自动对准之矽化金属制程同时形成两种不同厚度之自动对准金属矽化物的方法,其中在一已完成NMOS以及PMOS元件结构之一半导体基板上进行该自动对准之矽化金属制程,该方法之特征在于:在定义形成NMOS之源/汲极以及PMOS之源/汲极之后,对NMOS区域进行一额外之离子布植,并且使在该自动对准之矽化金属制程中之一第一次快速高温回火(RTA)的进行温度低于一温度Ts,其中,该额外之离子布植系用以增进(enhance)在NMOS上之自动对准金属矽化物的形成,而该Ts系为在未进行该额外之离子布植的区域之用以形成该自动对准金属矽化物之金属层中,已反应(reacted)金属经加热而全部转变(transformation)成不易为一选择性蚀刻酸液所去除的一特定相态(phase)之金属矽化物时的温度。图式简单说明:图一至图四,系为本发明之一实施例在进行同时形成两种不同厚度之自动对准矽化金属物的制程步骤的剖面示意图;图五,系为对钴金属矽化物相态转变具有延迟作用之元素的使用浓度与使钴金属矽化物的相态转变温度的曲线示意图;以及图六,系为说明本发明Co金属矽化反应的温度与其各阶段之相态金属矽化物的片电阻Rs値的曲线示意图。 |
