| 主权项 |
1.一种形成金属线的方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上依序形成一金属层、一抗反射层及一遮蔽图案层;以该遮蔽图案层为罩幕,依序蚀刻该抗反射层及该金属层而形成一具有至少一开口之抗反射图案层及金属图案层;在该遮蔽图案层上形成一光阻层且填入该开口内;去除该抗反射图案层上方之该光阻层及该遮蔽图案层以在该开口内形成一余留之光阻层;以及去除该余留之光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之形成金属线的方法,更包括在该基底与该金属层间形成一介电层之步骤。3.如申请专利范围第1项所述之形成金属线的方法,其中该金属层系铝金属层。4.如申请专利范围第1项所述之形成金属线的方法,其中该抗反射层系氮氧化矽层及氮化钛层之一种。5.如申请专利范围第1项所述之形成金属线的方法,其中该遮蔽图案层系高密度电浆氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之形成金属线的方法,其中藉由化学机械研磨法来去除该抗反射图案层上方之该光阻层及该遮蔽图案层。7.如申请专利范围第6项所述之形成金属线的方法,其中该余留之光阻层表面大体齐平于该抗反射层表面。8.一种形成金属线的方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上依序形成一金属层、一抗反射层及一遮蔽图案层;以该遮蔽图案层为罩幕,依序蚀刻该抗反射层及该金属层而形成一具有至少一开口之抗反射图案层及金属图案层;在该遮蔽图案层上形成一光阻层且填入该开口内;回蚀刻该光阻层以露出该遮蔽图案层且在该开口内形成一余留之光阻层;去除该遮蔽图案层以露出该抗反射图案层;以及去除该余留之光阻层。9.如申请专利范围第8项所述之形成金属线的方法,更包括在该基底与该金属层间形成一介电层之步骤。10.如申请专利范围第8项所述之形成金属线的方法,其中该金属层系铝金属层。11.如申请专利范围第8项所述之形成金属线的方法,其中该抗反射层系氮氧化矽层及氮化钛层之一种。12.如申请专利范围第8项所述之形成金属线的方法,其中该遮蔽图案层系高密度电浆氧化层。13.如申请专利范围第8项所述之形成金属线的方法,其中藉由乾蚀刻法回蚀刻该光阻层。14.如申请专利范围第8项所述之形成金属线的方法,其中藉由旋转蚀刻去除该遮蔽图案层。15.如申请专利范围第14项所述之形成金属线的方法,其中系以稀释氢氟酸作为蚀刻剂。图式简单说明:第1图系绘示出根据本发明实施例之在一基底上依序形成介电层、金属层、抗反射层、遮蔽层、及光阻层之剖面示意图。第2图系绘示出第1图中经由图案化光阻层定义遮蔽层之剖面示意图。第3图系绘示出第2图中经由遮蔽图案层依序蚀刻抗反射层及下方之金属层之剖面示意图。第4图系绘示出在第3图中的金属图案层上方及其中形成光阻层之剖面示意图。第5a图系绘示出去除第4图中抗反射层上方之光阻层及遮蔽图案层之剖面示意图。第5b图系绘示出另一去除第4图中抗反射层上方之光阻层之剖面示意图。第6图系绘示出第5b图中抗反射层上方之遮蔽图案层之剖面示意图。第7图系绘示出剥除第5a或6图中余留的光阻层之剖面示意图。第8图系绘示出在第7图中金属图案层中填入介电层之剖面示意图。 |
