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Eine Halbleitervorrichtung weist einen ersten IGBT (1) auf, um einen Hauptstrom zu steuern, und einen zweiten IGBT (2), um einen Überstrom des ersten IGBTs (1) zu verhindern. Ein Diodenabschnitt (11) ist zwischen dem Emitter (5) des ersten IGBTs (1) und dem Emitter (6) des zweiten IGBTs (2) so angeordnet, dass er parallel mit einem Abfühlwiderstand (8) ist. Der Diodenabschnitt (11) besteht aus einer ersten Diode (9) und einer zweiten Diode (10), die umgekehrt miteinander in Reihe geschaltet sind. Um den Überstrom des ersten IGBTs (1) und die Zerstörung des zweiten IGBTs (2) zu verhindern, weist jede der Dioden (9, 10) eine Durchbruchspannung in der Rückwärtsspannungsrichtung auf, die niedriger ist als die Dauerspannung zwischen den Emittern (5, 6), und die höher ist als die Obergrenze der vom Abfühlwiderstand (8) erfassten Spannung.
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