| 发明名称 |
Grabenisolierung einer Halbleiteranordnung und Verfahren zu seiner Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69723493(D1) |
申请公布日期 |
2003.08.21 |
| 申请号 |
DE1997623493 |
申请日期 |
1997.03.25 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI |
发明人 |
EGAWA, HIDEMITSU |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/316;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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