| 发明名称 | 含有保护层的有机半导体场效应晶体管及制作方法 | ||
| 摘要 | 一种含有保护层的有机半导体场效应晶体管，包括衬底(1)，栅电极(2)形成在衬底(1)上，栅绝缘层(3)形成在衬底(1)和栅电极(2)上，第一半导体层(4)形成在栅绝缘层(3)上，第二半导体层(6)形成在第一半导体层(4)上，保护层(5)形成在第二半导体层(6)上，源/漏电级(7)形成在保护层(5)刻蚀孔处和半导体层(4)上。本发明的特征是采用两种或两种以上有机材料来共同构成有源半导体层，含有保护层。 | ||
| 申请公布号 | CN1437272A | 申请公布日期 | 2003.08.20 |
| 申请号 | CN03105024.7 | 申请日期 | 2003.03.03 |
| 申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明人 | 阎东航;袁剑峰;严铉俊 |
| 分类号 | H01L51/20;H01L51/40 | 主分类号 | H01L51/20 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种含有保护层的有机半导体场效应晶体管，包括衬底(1)，栅电极(2)形成在衬底(1)上，栅绝缘层(3)形成在衬底(1)和栅电极(2)上，第一半导体层(4)形成在栅绝缘层(3)上，第二半导体层(6)形成在第一半导体层(4)上，保护层(5)形成在第二半导体层(6)上，源/漏电级(7)形成半导体层(4)上和保护层(5)刻蚀孔处。 | ||
| 地址 | 130022吉林省长春市人民大街159号 | ||