发明名称 | 电子发射器件、电子源及图象形成装置的制造方法 | ||
摘要 | 一种制造电子发射器件的方法,该器件有导电膜,其上有电子发射区,其特征是形成包括所述电子发射区的所述导电薄膜的形成过程包括步骤:在衬底上涂覆含金属化合物的溶液;将含有分解金属化合物的成分的溶液的液滴施加到所述衬底。制造电子源的方法,电子源包括衬底,其上有许多按照上述方法制造的电子发射器件。制造图象形成装置的方法,图象形成装置包括衬底、排列在衬底上的由许多电子发射器件构成的电子源、以及图象形成件,其中电子发射器件按照上述方法制造。 | ||
申请公布号 | CN1118843C | 申请公布日期 | 2003.08.20 |
申请号 | CN96101935.2 | 申请日期 | 1996.04.03 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 高桥靖男;三浦直子 |
分类号 | H01J9/02 | 主分类号 | H01J9/02 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
主权项 | 1.一种用于制造电子发射器件的方法,所述电子发射器件具有在衬底上的导电薄膜,导电薄膜包括电子发射区,其特征在于,形成包括所述电子发射区的所述导电薄膜的形成过程包括步骤:在衬底上涂覆含有金属化合物的溶液的液滴;将含有分解所述金属化合物的成分的溶液的液滴涂覆到所述衬底。 | ||
地址 | 日本东京 |