促进快闪式存储器性能的方法

摘要

一种促进快闪式存储器性能的方法。首先提供一底材。一穿遂氧化层形成于该底材上。两个闸极结构形成于穿遂氧化层上，闸极结构包括第一多晶硅层作为浮置闸，一内多晶介电层如氮－氧－氮(ONO)层位于浮置闸上，第二多晶硅层作为控制闸位于内多晶介电层上。然而多晶硅残留物存在于闸极之间，其中此多晶硅残留物是因蚀刻未能移除部份。接着，进行一氧自由基的晶胞氧化步骤。此种氧自由基晶胞氧化步骤的氧化方法仅有很轻微的氧－氮－氧层侵蚀现象，提升约6％的闸极电容耦合比，可增加操作速度达5倍以上，并且可清除多晶硅残留物。

主权项

1.一种促进快闪式存储器性能的方法，其特征在于，包括：提供一具有两个闸极结构在上方的底材，其中每一个闸极结构具有一闸介电层在该底材上，第一多晶硅层在该闸介电层上，一内多晶介电层在该第一多晶硅层上，第二多晶硅层在该内多晶介电层上；以及对该底材和该两个闸极进行一氧自由基的氧化步骤。