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Die Erfindung bezieht sich auf einen Halbleiterspeicherbaustein (100) mit einem Speicherzellenfeld (110), das als Matrix mit Zeilen und Spalten ausgeführt ist, und auf ein zugehöriges Einschaltleseverfahren. DOLLAR A Erfindungsgemäß sind ein Spannungsdetektor (180) zum Aktivieren eines ersten Detektionssignals (PWRUP), wenn eine Versorgungsspannung während der Einschaltphase eine erste Detektionsspannung erreicht, ein Lesespannungsgenerator (200) zum Erzeugen einer Lesespannung (V¶WL¶) in Abhängigkeit des ersten Detektionssignals (PWRUP) und zum Aktivieren eines zweiten Detektionssignals (Comp), wenn die Lesespannung (V¶WL¶) eine zweite Detektionsspannung (Vref) erreicht, ein Lesestart-Generator (210) zum Erzeugen eines Lesestart-Signals (READ_START) in Abhängigkeit von der Aktivierung des zweiten Detektionssignals (Comp) und eine Leseschaltung zum Auslesen von Daten aus dem Speicherzellenfeld (110) in Abhängigkeit vom Lesestart-Signal (READ_START) vorgesehen. DOLLAR A Verwendung z. B. für nichtflüchtige Halbleiterspeicherbauelemente.
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