| 主权项 |
1.一种共聚合共轭二烯烃与乙烯基芳香族化合物之方法,其特征为共轭二烯烃之聚合反应系于-30℃至+100℃之温度下,以及于含有以下物质之触媒和乙烯基芳香族化合物的存在下进行:(a)至少一种稀土族金属化合物,(b)至少一种环戊二烯化合物及(c)至少一种有机铝化合物或含有(a)至少一种稀土族金属化合物及(c)至少一种有机铝化合物其中成分(a):(b):(c)之莫耳比系在1:0.01-1.99:0.1-1000之范围内,或成分(a):(c)之莫耳比系在1:0.1-1000之范围内,触媒之成分(a)的使用量相对于100公克之使用的共轭二烯烃为1mol至10mmol,且芳香族乙烯基化合物之用量相对于100公克之使用的共轭二烯烃为50公克至2000公克。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中所用的共轭二烯烃为1,3-丁二烯、1,3-异戊二烯、2,3-二甲基丁二烯、2,4-己二烯、1,3-戊二烯及/或2-甲基-1,3-戊二烯。3.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中所用之稀土族金属化合物为其醇盐、膦酸盐、次膦酸盐及羧酸盐,以及为稀土族金属与二酮之错合物及/或稀土族金属卤化物与氧或氮施主化合物之加成化合物。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中所用之稀土族金属化合物为凡塞酸钕(neodymium versatate)、辛酸钕及/或环烷酸钕。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中所用之环戊二烯类化合物为具式(I)或(II)之化合物其中,R1至R7可相同或相异及选自H或C1-C6烷基。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中所用之有机铝化合物为铝氧烷及/或铝有机基化合物。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中使用1至1000莫耳(相对于1莫耳之成分(a))之共轭二烯烃做为额外成分(d)。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中所用之芳香族乙烯基化合物为苯乙烯、-甲基苯乙烯、-甲基苯乙烯二聚物、对-甲基苯乙烯、二乙烯基苯及/或于残烷基具2至6个C原子之烷基苯乙烯。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中除共轭二烯烃,更进一步使用可与所述二烯烃共聚合之不饱和化合物,其之用量相对于所使用之二烯烃为0.1至80莫耳%。10.一种制备经冲击性改质的热塑性物质之方法,包含(i)在-30℃至+100℃温度下,于至少一种乙烯基芳香族化合物与一触媒系统存在下聚合共轭二烯烃,该触媒系统包括(a)稀土族金属化合物,及(c)有机铝化合物,其中a):c)之莫耳比为1:0.1-1000,及其中a)系以1mol至10mmol量存在,且芳香族乙烯基化合物系以50公克至2000公克量存在,两者皆以相对于100公克共轭二烯烃计,以获得聚合的二烯于乙烯芳香族化合物中之溶液,及(ii)聚合该溶液。11.根据申请专利范围第10项之方法,其另包含将丙烯加至由(i)获得的溶液中。12.根据申请专利范围第10项之方法,其另包含在(ii)之前将一部份乙烯基芳香族化合物移除。13.根据申请专利范围第10项之方法,其中触媒系统另包括b)环戊二烯基化合物,其a):b):c)之莫耳比为1:0.1-1.99:0.1-1000。14.根据申请专利范围第13项之方法,其另包含将丙烯加至由(i)获得的溶液中。15.根据申请专利范围第13项之方法,其另包含在(ii)之前将一部份乙烯基芳香族化合物移除。16.根据申请专利范围第13项之方法,其中触媒系统另包括d)共轭二烯烃,相对于1mol.之a)计,为1-1000mol.量。17.根据申请专利范围第16项之方法,其另包含将丙烯加至由(i)获得的溶液中。18.根据申请专利范围第16项之方法,其另包含在(ii)之前将一部份乙烯基芳香族化合物移除。 |
