| 主权项 |
1.一种降低复晶矽层之反射率的方法,至少包括下列步骤:提供一半导体基底;将上述半导体基底放置于单一晶圆式化学气相沈积的反应器;导入含矽气体于上述单一晶圆式化学气相沈积的反应室内,以在上述半导体基底的表面形成一复晶矽层;导入氢气于上述单一晶圆式化学气相沈积的反应室内,以调整上述复晶矽层上表面的晶粒尺寸;导入氧气于上述单一晶圆式化学气相沈积的反应室内,以在上述复晶矽层上方形成二氧化矽薄膜;以及导入氨气于上述单一晶圆式化学气相沈积的反应室内,以在上述二氧化矽薄膜表面形成氮化矽薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之降低复晶矽层之反射率的方法,更包括导入一氧化二氮于上述单一晶圆式化学气相沈积的反应室内,以处理上述复晶矽层表面而形成氮氧矽化合物薄膜的步骤。3.如申请专利范围第1项所述之降低复晶矽层之反射率的方法,其中上述复晶矽层的厚度介于500埃至2500埃之间。4.如申请专利范围第1项所述之降低复晶矽层之反射率的方法,其中上述复晶矽层的沈积温度大约介于350℃至680℃之间5.如申请专利范围第1项所述之降低复晶矽层之反射率的方法,其中上述复晶矽层的沈积压力大约介于150mtorr至400mtorr之间。6.如申请专利范围第1项所述之降低复晶矽层之反射率的方法,其中上述含矽气体系甲矽烷。7.一种降低复晶矽层之反射率的方法,至少包括下列步骤:提供一半导体基底;将上述半导体基底放置于单一晶圆式化学气相沈积的反应器;导入含矽气体于上述单一晶圆式化学气相沈积的反应室内,以在上述半导体基底的表面形成一复晶矽层;以及导入氨气以及一氧化二氮于上述单一晶圆式化学气相沈积的反应室内,以在上述复晶矽层上方形成氮氧矽化合物薄膜。8.如申请专利范围第7项所述之降低复晶矽层之反射率的方法,其中上述复晶矽层的厚度介于500埃至2500埃之间。9.如申请专利范围第7项所述之降低复晶矽层之反射率的方法,其中上述复晶矽层的沈积温度大约介于350℃至680℃之间。10.如申请专利范围第7项所述之降低复晶矽层之反射率的方法,其中上述复晶矽层的沈积压力大约介于150mtorr至400mtorr之间。11.如申请专利范围第7项所述之降低复晶矽层之反射率的方法,其中上述矽烷系甲矽烷。图式简单说明:第1图显示根据习知技术形成具有低反射率之复晶矽层表面的流程图。第2图显示根据本发明第一实施例形成具有低反射率之复晶矽层表面的流程图。第3图显示根据本发明第二实施例形成具有低反射率之复晶矽层表面的流程图。第4A图~第4D图系根据本发明第一实施例降低复晶矽层之反射率的制程剖面图。第5A图~第5D图系根据本发明第二实施例降低复晶矽层之反射率的制程剖面图。 |
