正型光阻剂共聚物及使用其的光阻剂组成物

摘要

本发明关于一种作为使用于超短波长光源如氟化氪或氟化氩之光阻剂之共聚物树脂，其制备方法，及使用其所制成的光阻剂。经由导入2，3－二－第三丁基－5－原冰片烯－2，3－二羧酸酯单元至原冰片烯－顺丁烯二酸酐共聚物之结构中，根据本发明之共聚物树脂可经由传统自由基聚合作用而被容易地制备，在193nm波长具有高透明性，提供增加的抗蚀刻性，由于在共聚物树脂中之保护比例增加而防止尖端损失现象及增加黏着强度，且显示0.13μm之优良解析度。

主权项

1.一种正型光阻剂共聚物,其包括0.001-99莫耳%之下列式III所示单体:其中该共聚物为选择自下列式IV至VII所示化合物所组成之族群中:其中该共聚物之分子量为3,000至100,000,且x:y:z之莫耳比例为(0.001-99%):(0-99%):(0-99%)。2.一种光阻剂组成物,其包括申请专利范围第1项之共聚物,选自3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、环己酮及丙二醇甲基醚醋酸酯所组成之族群中之有机溶剂及选自三苯基三倍酸(triphenyl sulfonium triflate)及二丁基基三倍酸(dibutyl naphthyl sulfonium triflate)所组成之族群中之无机酸发生剂。3.一种形成光阻剂图案之方法,其包括步骤(a)涂覆如申请专利范围第2项所定义之光阻剂组成物至晶圆的表面且形成光阻剂薄膜;(b)曝光该光阻剂薄膜;(c)显影该光阻剂薄膜。4.根据申请专利范围第3项之形成光阻剂图案之方法,其包括在步骤(b)前及/或后烘烤之步骤。5.根据申请专利范围第4项之形成光阻剂图案之方法,该烘烤方法系在70℃及200℃温度之间进行。6.根据申请专利范围第3项之形成光阻剂图案之方法,该步骤(b)系使用氟化氩,氟化氪,DUV,电子束或x-射线之光源进行。7.根据申请专利范围第2项之光阻剂组成物,其系用于制造半导体元件。