| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines Dünnschichtbauelements, wobei eine Halbleiterschicht durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl, der ein plateauartiges räumliches Strahlprofil aufweist, von einem Substrat getrennt wird. Weiterhin wird die Halbleiterschicht vor der Trennung auf einen Träger mit einem angepaßten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufgebracht. Die Erfindung eignet sich insbesondere für Halbleiterschichten, die einen Nitridverbindungshalbleiter enthalten.</p> |
