| 发明名称 | 强电介质半导体存储器 | ||
| 摘要 | 一种强电介质半导体存储器，包括将多个强电介质存储单元排列成矩阵结构的单元阵列和电路部。各存储单元包括场效应晶体管和具有形成为其栅极部的金属膜/强电介质膜/金属膜的叠层结构的电容器。电路部除分别进行对上述存储单元读取、写入、擦除数据的读取模式、写入模式、擦除模式外，选择地执行改写各存储单元中存储的数据的改写模式。 | ||
| 申请公布号 | CN1434516A | 申请公布日期 | 2003.08.06 |
| 申请号 | CN02151847.5 | 申请日期 | 2002.10.25 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 山口哲哉 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/108;G11C11/34 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种强电介质半导体存储器，具备将多个强电介质存储单元排列成矩阵结构的单元阵列，各存储单元具有场效应晶体管和具有形成为其栅极部的金属膜/强电介质膜/金属膜的叠层结构的电容器；除分别进行对上述存储单元读取、写入、擦除数据的读取模式、写入模式、擦除模式外，选择地执行改写各存储单元中存储的数据的改写模式的电路部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||