| 发明名称 | 闪存元件的结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种内存元件的结构及其制造方法，此结构由一栅极结构、一埋入式位线、一升高位线、一隔离间隙壁以及一字符线构成。其中栅极结构配置在一基底上。埋入式位线配置在栅极结构两侧的基底中。升高位线配置在埋入式位线上。隔离间隙壁配置在栅极结构的侧壁，用以隔离栅极结构与升高位线。而字符线配置在基底上，其中字符线与栅极结构电连接，且由一绝缘层与升高位线相隔绝。 | ||
| 申请公布号 | CN1434514A | 申请公布日期 | 2003.08.06 |
| 申请号 | CN02102529.0 | 申请日期 | 2002.01.25 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林宏穗;赖汉昭;卢道政 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种内存元件的结构，其特征为：包括：一基底；一栅极结构，配置在该基底上；一埋入式位线，配置在该栅极结构两侧的该基底中；一升高位线，配置在该埋入式位线上；一隔离间隙壁，配置在该栅极结构的侧壁，用以隔离该栅极结构与该升高位线；一字符线，配置在该基底的上，其中该字符线与该栅极结构电连接，且由一绝缘层与该升高位线相隔绝。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||