| 主权项 |
1.一种利用离子植入方法制作混合电路元件其电容器的方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一多晶矽层;对该多晶矽层进行一离子植入步骤,以植入氧离子于该多晶矽层中;进行回火制程,使该多晶矽层中的矽离子与氧离子产生反应,而于该多晶矽层中形成一氧化矽层;以及定义该氧化矽层与该多晶矽层,使该氧化矽层上的该多晶矽层作为该电容器之一上电极与该氧化矽层下的该多晶矽层作为该电容器之一下电极。2.如申请专利范围第1项所述之利用离子植入方法制作混合电路元件其电容器的方法,其中该氧离子植入步骤的能量在30KeV~80KeV之间。3.如申请专利范围第1项所述之利用离子植入方法制作混合电路元件其电容器的方法,其中该氧离子植入步骤的剂量在11014~11017 ion/cm2之间。4.如申请专利范围第1项所述之利用离子植入方法制作混合电路元件其电容器的方法,其中该氧离子植入步骤植入离子之深度在80nm~200nm之间。5.如申请专利范围第1项所述之利用离子植入方法制作混合电路元件其电容器的方法,其中该电容器下电极与上电极系定义于该基底之一隔离区上。6.一种利用离子植入方法制作混合电路元件其电容器之方法,其适用于一基底,且该基底上已形成有一隔离区,包括:于该隔离区上形成一导体层;对该导体层进行一离子植入步骤,该离子植入步骤之植入离子系可与该导体层中的离子产生反应而形成介电质者;进行回火制程,使该导体层中的离子与植入离子产生反应,以于该导体层中形成一介电层;以及定义该介电层与该导体层,使该介电层上的导体层作为该电容器之一上电极与该介电层下的该导体层作为该电容器之一下电极。7.如申请专利范围第6项所述之利用离子植入方法制作混合电路元件其电容器之方法,其中该导体层的材质包括多晶矽。8.如申请专利范围第7项所述之利用离子植入方法制作混合电路元件其电容器之方法,其中该离子植入步骤之植入离子包括氧离子。9.如申请专利范围第8项所述之利用离子植入方法制作混合电路元件其电容器之方法,其中该离子植入步骤的能量在30KeV~80KeV之间。10.如申请专利范围第8项所述之利用离子植入方法制作混合电路元件其电容器之方法,其中该离子植入步骤的剂量在11014~11017 ion/cm2之间。11.如申请专利范围第8项所述之利用离子植入方法制作混合电路元件其电容器之方法,其中该离子植入步骤植入离子之深度在80nm~200nm之间。12.一种利用离子植入法制作电容器之方法,包括:于一基底上形成一导体层;对该导体层进行一离子植入步骤,该离子植入步骤之植入离子必须可与该导体层中的离子产生反应而形成介电质者;进行回火制程,使该导体层中的离子与植入离子产生反应,以于该导体层中形成一介电层;以及定义该介电层与该导体层,使该介电层上的导体层作为该电容器之一上电极与该介电层下的该导体层作为该电容器之一下电极。13.如申请专利范围第12项所述之利用离子植入法制作电容器之方法,其中该导体层的材质包括多晶矽。14.如申请专利范围第13项所述之利用离子植入法制作电容器之方法,其中该离子植入步骤之植入离子包括氧离子。15.如申请专利范围第14项所述之利用离子植入法制作电容器之方法,其中该离子植入步骤的能量在30KeV ~ 80KeV之间。16.如申请专利范围第14项所述之利用离子植入法制作电容器之方法,其中该离子植入步骤的剂量在11014~11017 ion/cm2之间。17.如申请专利范围第14项所述之利用离子植入法制作电容器之方法,其中该离子植入步骤植入离子之深度在80nm ~ 200nm之间。图式简单说明:第1A图至第1C图系绘示习知一种混合电路元件之电容器的制造流程剖面图;以及第2A图至第2C图是依照本发明一较佳实施例一种利用离子植入方法制作混合电路元件电容器的制造流程剖面示意图。 |
