| 主权项 |
1.一种利用金属镶嵌法形成金属线之方法,系包括:形成绝缘层于包括用来操作半导体装置之各元件的半导体基板上;形成第一光阻图形于绝缘层上;蚀刻绝缘层以便利用第一光阻图形形成第一通孔,然后再形成合成结构;被覆第一防止反射涂层于具低黏度的合成结构上;被覆第二防止反射涂层于具低黏度的合成结构上;形成第二光阻图形于该第二防止反射涂层上;以及利用第二光阻图形形成第二通孔。2.如申请专利范围第1项之方法,其中更包括在形成每一个第一和第二防止反射涂层之后冷却该半导体基板。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该绝缘层系包括交替堆叠有二氧化矽层及氮化矽层的多重层结构。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该绝缘层更包括:第一氮化矽层;形成于第一氮化矽层上的二氧化矽层;以及在二氧化矽层上的第二氮化矽层。5.如申请专利范围第4项之方法,其中更包括扩孔在该第一氮化矽层上之部分第二防止反射涂层,以防止丧失该第二通孔。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一防止反射涂层的黏度为在3000rpm下450埃。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该第一防止反射涂层的厚度是从500埃到700埃的范围内。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二防止反射涂层的黏度为在3000rpm下450埃。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该第二防止反射涂层的厚度是从500埃到700埃的范园内。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一和第二防止反射涂层都是有机涂层。11.一种半导体装置,包括:绝缘层,形成于包括用来操作半导体装置之各元件的半导体基板上,其中第一通孔,利用第一光阻图形蚀刻绝缘层而形成,然后再形成合成结构,第一光阻图形,形成于绝缘层上;第一防止反射涂层,被覆于具低黏度的合成结构上,第二防止反射涂层,被覆于具低黏度的合成结构上,第二光阻图形,形成于该第二防止反射涂层上,以及利用第二光阻图形形成之第二通孔。12.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中该绝缘层系包括交替堆叠有二氧化矽层及氮化矽层的多重层结构。13.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中该绝缘层更包括:第一氮化矽层;形成于第一氮化矽层上的二氧化矽层;以及在二氧化矽层上的第二氮化矽层。14.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中该第一防止反射涂层的黏度为在3000rpm下450埃。15.如申请专利范围第14项之半导体装置,其中该第一防止反射涂层的厚度是从500埃到700埃的范围内。16.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中该第二防止反射涂层的黏度为在3000rpm下450埃。17.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中该第一防止反射涂层的厚度是从500埃到700埃的范围内。18.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中该第一和第二防止反射涂层都是有机涂层。图式简单说明:第1A到1D图系用以显示一种已广泛地被用在习知金属镶嵌方法中而用于形成通孔的方法。第2A到2E图系用以显示一种根据本发明利用双金属镶嵌法以防止扩散式反射作用的方法。 |
