| 主权项 |
1.一种使半导体晶圆充满于压力容器且制程在高温高压的大气下实现之半导体晶圆之高温高压制程方法,该方法包含下列步骤:将一阻氧化本体建置于该压力容器中,而该阻氧化本体系由使氧气易于扩散至该阻氧化本体之内部的材质所制;以及实现高温高压制程。2.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆之高温高压制程方法,其中高温高压制程系在半导体晶圆与实质上于平面所视时与该半导体晶圆相同形状所形成之似盘的阻氧化本体,一起被混合在能够支持多个半导体晶圆之晶圆架中之状态中。3.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆之高温高压制程方法,其中该半导体晶圆是用铜形成的膜。4.据申请专利范围第2项之半导体晶圆之高温高压制程方法,其中该半导体晶圆是用铜形成的膜。5.一种为半导体晶圆之高温高压制程方法使用之阻氧化本体,其特征在于具有使氧气易于扩散至内部之特性的材质,系被形成于平面而视时与半导体晶圆实质相同形状的盘之中。6.根据申请专利范围第5项之阻氧化本体,其中镜磨光制程被应用至该本体。7.根据申请专利范围第5项之阻氧化本体,其中涂层被应用至盘的两面之外之整个或部分的一面。8.根据申请专利范围第6项之阻氧化本体,其中涂层被应用至盘的两面之外之整个或部分的一面。9.根据申请专利范围第5项之阻氧化本体,其中该本体是由钛或钛合金或锆或锆合金形成的。10.根据申请专利范围第6项之阻氧化本体,其中该本体是由钛或钛合金或锆或锆合金形成的。11.根据申请专利范围第7项之阻氧化本体,其中该本体是由钛或钛合金或锆或锆合金形成的。12.根据申请专利范围第8项之阻氧化本体,其中该本体是由钛或钛合金或锆或锆合金形成的。图式简单说明:图1是高温高压制程设备的部分截面前视图;图2是显示晶圆架上之阻氧化本体与半导体的叠层状态;以及图3是阻氧化本体的计划图与侧面图。 |
