| 主权项 |
1.一种半导体装置制程,包含以下步骤:于一矽基板之表面形成凹处;于基板之表面上形成一阻绝膜,并以阻绝膜覆盖该等凹处之内壁与底部;形成一埋藏膜,以填满该等凹处之内部;以及抛光矽基板上之阻绝膜与埋藏膜之至少一个,其中抛光步骤包含利用藉由将一第一浆料与一第二浆料予以混合所制备之一第三浆料,使矽基板上之阻绝膜与埋藏膜之至少一个遭受化学机械抛光,其中第一浆料对埋藏膜之抛光率小于对矽基板之抛光率,而第二浆料对埋藏膜之抛光率大于对矽基板之抛光率。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置制程,其中该第一浆料系为一种包含从5至3重量百分比的研磨粒并能抛光矽基板之浆料,而该第二浆料系为一种包含从0.1至10重量百分比的氧化剂并能抛光阻绝膜与埋藏膜之浆料。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置制程,其中:该第三浆料具有在从0.55:1至1.8:1之范围内之对矽基板之抛光率与对埋藏膜之抛光率的比率;且该第三浆料对埋藏膜之抛光率系大于该第一浆料之抛光率,而该第三浆料对矽基板之抛光率系大于该第二浆料之抛光率。4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置制程,其中:该矽基板具有一绝缘膜位于其表面上;且该阻绝膜包含一种金属化合物,而埋藏膜包含一种金属。5.如申请专利范围第1项所述之半导体装置制程,其中该抛光步骤更包含一种定量混合该第一浆料与该第二浆料之浆料混合步骤。6.如申请专利范围第2项所述之半导体装置制程,其中该氧化剂包含过氧化氢与高碘酸之至少其一,而该研磨粒包含二氧化矽、氧化铝与氧化铈之至少其一。7.如申请专利范围第1项所述之半导体装置制程,其中该第三浆料系为一种包含氧化剂以及从10至28重量百分比的研磨粒之酸性浆料。8.一种化学机械抛光浆料,其系为一种用以化学机械抛光矽基板之阻绝膜与埋藏膜之至少其一的浆料,该矽基板于其表面上形成有凹处,而该等凹处之内壁与底部系由阻绝膜所覆盖,且包括内壁与底部在内之该等凹处之内部系以埋藏膜填满:其中该浆料系为一种包含氧化剂以及从10至28重量百分比的研磨粒之酸性浆料。9.如申请专利范围第8项所述之化学机械抛光浆料,其具有在从0.55:1至1.8:1之范围内之对矽基板材料之抛光率与对埋藏膜之抛光率的比率。10.如申请专利范围第8项所述之化学机械抛光浆料,其具有在从0.7:1至1.3:1之范围内之对氧化钛之抛光率与对钨之抛光率的比率。图式简单说明:图1显示一种习知之抛光方法。图2显示依据本发明之抛光方法之一例。图3A至3G显示例子之制造步骤。图4系为显示待抛光薄膜之抛光率与浆料之混合比率之间的关系图。图5显示例10中的混合浆料之方法。图6显示于例17中所形成之埋藏配线之剖面形状的SEM图片影像。图7显示于比较例中所形成之埋藏配线之剖面形状的SEM图片影像。图8系为用以显示依据本发明之半导体装置之概要剖面图。 |
