发明名称 |
配线构造及制造方法、带配线构造的半导体装置及配线基板 |
摘要 |
本发明揭示一种能包含能简化制造工序的传输线路构造的配线构造。该配线构造,包括在基板上的第1绝缘膜上形成的第1槽,沿第1槽的内面的至少一部分、形成在第1槽的延伸方向的第1配线,以及构成与第1配线一起传输信号用的传输线路、经第2绝缘膜、与第1配线对向形成的第2配线;并且,将第1配线、第2绝缘膜及第2配线埋入在第1槽内。经过形成第1槽时的1次的石印工序、腐蚀工序及保护膜除去工序、以及1次的CMP工序、形成该配线构造,因此能简化制造工序。 |
申请公布号 |
CN1433072A |
申请公布日期 |
2003.07.30 |
申请号 |
CN03100968.9 |
申请日期 |
2003.01.10 |
申请人 |
三洋电机株式会社 |
发明人 |
岡山芳央 |
分类号 |
H01L23/48;H01L23/538;H01P3/00;H05K3/46 |
主分类号 |
H01L23/48 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
赵国华 |
主权项 |
1.一种配线构造,其特征在于,包括第1槽,形成在基板上的第1绝缘膜上,第1配线,沿所述第1槽的内面的至少一部分、形成在所述第1槽的延伸方向,以及第2配线,构成与所述第1配线一起传输信号用的传输线路,经第2绝缘膜与所述第1配线对向形成;将所述第1配线、所述第2绝缘膜及所述第2配线,埋入在所述第1槽内。 |
地址 |
日本大阪府 |