发明名称 配线构造及制造方法、带配线构造的半导体装置及配线基板
摘要 本发明揭示一种能包含能简化制造工序的传输线路构造的配线构造。该配线构造,包括在基板上的第1绝缘膜上形成的第1槽,沿第1槽的内面的至少一部分、形成在第1槽的延伸方向的第1配线,以及构成与第1配线一起传输信号用的传输线路、经第2绝缘膜、与第1配线对向形成的第2配线;并且,将第1配线、第2绝缘膜及第2配线埋入在第1槽内。经过形成第1槽时的1次的石印工序、腐蚀工序及保护膜除去工序、以及1次的CMP工序、形成该配线构造,因此能简化制造工序。
申请公布号 CN1433072A 申请公布日期 2003.07.30
申请号 CN03100968.9 申请日期 2003.01.10
申请人 三洋电机株式会社 发明人 岡山芳央
分类号 H01L23/48;H01L23/538;H01P3/00;H05K3/46 主分类号 H01L23/48
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 赵国华
主权项 1.一种配线构造,其特征在于,包括第1槽,形成在基板上的第1绝缘膜上,第1配线,沿所述第1槽的内面的至少一部分、形成在所述第1槽的延伸方向,以及第2配线,构成与所述第1配线一起传输信号用的传输线路,经第2绝缘膜与所述第1配线对向形成;将所述第1配线、所述第2绝缘膜及所述第2配线,埋入在所述第1槽内。
地址 日本大阪府