发明名称 半导体器件制造方法和半导体器件制造装置
摘要 一种半导体器件制造方法,该方法可均匀地和充分地还原半导体器件金属电极或金属引线(例如铜)上产生的金属氧化物。首先将其上产生铜氧化物的受处理物体放入处理室中,然后用加热器加热到预定温度。接着,用汽化器蒸发储存在储存筒中的羧酸。接着,将蒸发的羧酸和载气一起通过处理气体输送管输送到处理室中,由此将形成在受处理物体上的铜氧化物还原成金属铜。结果,可以均匀还原金属氧化物,而不会在电极或引线的表面上造成凹凸不平。另外,在这种情况下,二氧化碳和水二者均以气态形式产生。这样便可防止杂质停留在铜的表面上。
申请公布号 CN1433053A 申请公布日期 2003.07.30
申请号 CN02130193.X 申请日期 2002.08.23
申请人 富士通株式会社 发明人 埃德·A·阿克巴尔;大场隆之
分类号 H01L21/302;C23G5/00 主分类号 H01L21/302
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王彦斌
主权项 1.一种制造半导体器件的方法,可用于清洁处理工艺,该清洁处理可以还原半导体器件上构成电极或引线的金属上产生的金属氧化物,该方法包括以下步骤:将气态羧酸引入到放置半导体器件的处理室,进行汽相清洁处理,将金属氧化物还原成金属,并产生气态二氧化碳和水。
地址 日本神奈川