| 发明名称 | ZnO基异质结发光二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型的ZnO基异质结发光二极管在衬底上自下而上依次由第一电极层、n－ZnO薄膜层、Cd<SUB>x</SUB>Zn<SUB>1－x</SUB>O基层、p－ZnO薄膜层、第二电极层沉积而成。本实用新型的ZnO基异质结发光二极管的优点是：1)利用Cd掺杂对发光层禁带的调节作用，可以得到2.8～3.3eV的可调带隙，制得紫外光、紫光、绿光、蓝光等多种发光器件。2)ZnO基异质结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN2563752Y | 申请公布日期 | 2003.07.30 |
| 申请号 | CN02266540.4 | 申请日期 | 2002.08.20 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 叶志镇;黄靖云;马德伟;赵炳辉 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.ZnO基异质结发光二极管，其特征是在衬底(6)上自下而上依次由第一电极层(1)、n-ZnO薄膜层(2)、CdxZn1-xO基层(3)、p-ZnO薄膜层(4)、第二电极层(5)沉积而成。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号 | ||