异质结双极型晶体管和利用它构成的半导体集成电路器件

摘要

异质结双极型晶体管具有提高的击穿电压，并抑制I_C－V_CE特性的增长特性的退化。集电极区域包括半导体第一、第二集电极层。第一集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，与副集电极区域接触。第二集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，具有比第一集电极层窄的带隙，与基极区域接触。第三集电极层具有比第二集电极层高的掺杂浓度，被第一集电极层和第二集电极层夹在当中。

主权项

1.一种异质结双极型晶体管，包括：副集电极区域，它由第一导电类型的半导体制成；集电极区域，它由第一导电类型的半导体制成，与副集电极区域接触；基极区域，它由第二导电类型的半导体制成，与集电极区域接触；发射极区域，它由第一导电类型的半导体制成，与基极区域接触；集电极区域包括：第一集电极层，它由第一导电类型半导体或未掺杂的半导体制成，与副集电极区域接触；第二集电极层，它由第一导电类型半导体或未掺杂的半导体制成，具有比第一集电极层更窄的带隙，与基极区域接触；第三集电极层，它由比第二集电极层掺杂浓度更高的，第一导电类型的半导体制成，在第一集电极层和第二集电极层之间。