| 发明名称 |
Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2002358312(A8) |
申请公布日期 |
2003.07.24 |
| 申请号 |
AU20020358312 |
申请日期 |
2002.12.30 |
| 申请人 |
GENERAL SEMICONDUCTOR, INC. |
发明人 |
RICHARD A. BLANCHARD |
| 分类号 |
H01L21/329;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/329 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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