发明名称 Verfahren zum überprüfen von über einer Photomaske ausgebildeten Belichtungsmustern
摘要 Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Überprüfen von Belichtungsmustern mit Bezug auf Prüfdaten, wobei die Belichtungsmuster einen Überlappungsbereich haben, der Doppelbelichtungen von Elektronenstrahlen empfängt, welche eine Breite eines Verbindungsteils über dem überlappenden Bereich ändern, worin Daten für eine Breite des Verbindungsbereichs über dem überlappenden Bereich in den Prüfdaten modifiziert werden, um die Breite des Verbindungsteils zu ändern.
申请公布号 DE10063099(A1) 申请公布日期 2003.07.24
申请号 DE2000163099 申请日期 2000.12.18
申请人 NEC ELECTRONICS CORP., KAWASAKI 发明人 MIYAGAWA, SEIJI
分类号 H01L21/027;G03F1/84;G03F7/20;H01L21/66 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
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