制作BiCMOS半导体器件的方法

摘要

一种制作BiCMOS半导体器件的方法，其中用不同的多晶硅层形成CMOS器件的栅电极和双极器件的发射极引线电极，第一多晶硅层形成CMOS器件的栅电极的下部，同时第二高掺杂多晶硅层形成双极器件的发射极引线电极的中心部分。

主权项

1、一种制造具有双极晶体管及MOS晶体管的半导体器件的方法，其特征在于包含如下步骤：(a)在硅基片上形成第一绝缘膜；(b)在第一绝缘膜上形成第一导电膜；(c)在双极晶体管发射区及集电区处将第一绝缘膜及第一导电膜开孔以形成到达硅基片表面的发射极窗口及集电极窗口；(d)形成不同于第一导电膜并盖住电极窗口及发射极窗口的第二导电膜；(e)去除集电极窗口上的第二导电膜并保留发射极窗口的第二导电膜，通过集电极窗口在硅基片内形成集电极沟道；及(f)通过去除MOS晶体管栅区之外区域处的第一导电膜形成MOS晶体管的栅电极。