形成多级互连结构的方法

摘要

形成多级铜互连结构的方法包括以下步骤：利用光刻胶掩模腐蚀层间介质膜，形成暴露铜互连的开口；在低于150℃的衬底温度和不高于0.7W/cm²的RF功率条件下，利用等离子灰化去掉光刻胶掩模。该等离子灰化防止了在铜互连的表面上形成氧化铜膜，所以减小了通孔芯柱与铜互连间的接触电阻。

主权项

1.一种制造半导体器件的多级互连结构的方法，包括以下步骤：形成具有上部铜层并位于衬底上的第一级互连；在所说的第一级互连上形成第一层间介质膜；在所说的第一层间介质膜上形成光刻胶掩模，所说光刻胶掩模具有位于所说第一级互连的一部分上的开口；利用所说光刻胶掩模选择性腐蚀所说第一层间介质膜，形成暴露所说第一级互连的所说部分的通孔；在衬底温度低于160℃且RF功率小于或等于0.7瓦/cm2条件下，利用等离子体灰化，至少去掉所说光刻胶掩模的上部；以及形成通过所说通孔与所说第一级互连连接的第二级互连。