发明名称 电浆处理装置
摘要 本发明实现符合电浆处理目的的较佳电浆分布。本发明具备第一滤波器27:连接于基座21和接地之间,阻抗自由变更;感测器28:检测基于在处理室11内产生的电浆 P状态的电气信号;及,控制机构36:根据由此感测器28输出的检测结果控制第一滤波器27的阻抗。
申请公布号 TW543347 申请公布日期 2003.07.21
申请号 TW091110032 申请日期 2002.05.14
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 舆水地盐;山泽阳平
分类号 H05H1/00 主分类号 H05H1/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种电浆处理装置,具备基座:配置于密封处理室内,具有放置被处理体的载置面;及,电场产生机构:使此基座载置面的对向位置产生交流电场而使电浆激发,其特征在于:具备第一滤波器:连接于前述基座和接地之间,电路特性自由变更;感测器:检测前述电浆状态;及,控制机构:根据由此感测器输出的检测结果控制前述第一滤波器的电路特性者。2.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中前述控制机构具有开关,该开关系多阶段或任意切换第一控制模式:以分布于和前述基座载置面对向的区域的电浆为最大;及,第二控制模式:以到达前述处理室内壁面的电浆为最大。3.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中前述控制机构藉由切换多数控制模式,在前述处理室内实现与前述控制模式各个对应的预定电浆分布。4.如申请专利范围第3项之电浆处理装置,其中前述控制机构使前述第一滤波器的电路特性在制程中变化。5.如申请专利范围第2项之电浆处理装置,其中前述感测器检测流到前述第一滤波器的电流値,前述控制机构选择前述第一控制模式时,在前述电流値变大的方向控制,选择前述第二控制模式时,在前述电流値变小的方向控制。6.如申请专利范围第2项之电浆处理装置,其中前述感测器检测施加于前述第一滤波器的电压値,前述控制机构选择前述第一控制模式时,在前述电压値变小的方向控制,选择前述第二控制模式时,在前述电压値变大的方向控制。7.如申请专利范围第2项之电浆处理装置,其中前述感测器检测到达前述处理室内壁面预定区域的离子数,前述控制机构选择前述第一控制模式时,在前述离子数变少的方向控制,选择前述第二控制模式时,在前述离子数变多的方向控制。8.如申请专利范围第1至4项中任一项之电浆处理装置,其中前述控制机构对照运算处理由前述感测器输出的检测结果所得到的値控制前述第一滤波器的电路特性。9.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中更具备电源:连接于前述基座,在前述基座和前述电场产生机构之间施加偏压;及,第二滤波器:连接于前述电场产生机构和前述接地之间,电路特性自由变更,前述控制机构根据由前述感测器输出的检测结果控制前述第二滤波器的电路特性。10.如申请专利范围第9项之电浆处理装置,其中前述感测器检测流到前述第二滤波器的电流値,前述控制机构在前述电流値变大的方向控制。11.如申请专利范围第9项之电浆处理装置,其中前述感测器检测施加于前述第二滤波器的电压値,前述控制机构在前述电压値变小的方向控制。12.如申请专利范围第9项之电浆处理装置,其中前述感测器检测到达前述处理室内壁面预定区域的离子数,前述控制机构在前述离子数变少的方向控制。13.如申请专利范围第9项之电浆处理装置,其中前述控制机构对照运算处理由前述感测器输出的检测结果所得到的値控制前述第一及第二滤波器的电路特性。14.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中前述控制机构为了抑制前述处理室内的异常放电发生,适当控制前述第一滤波器的电路特性。15.如申请专利范围第9项之电浆处理装置,其中前述控制机构为了抑制前述处理室内的异常放电发生,适当控制前述第一及第二滤波器的电路特性。16.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中前述第一滤波器具有1000 pF以下的电容或5H以上的电感。17.如申请专利范围第9至13项及15项中任一项之电浆处理装置,其中前述第一及第二滤波器具有1000pF以下的电容或5H以上的电感。18.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中前述第一滤波器具有第一组件:阻止直流成分通过;及,第二组件:对于前述交流电场的频率的电路常数自由变更。19.如申请专利范围第9项之电浆处理装置,其中前述第一滤波器具有第一组件:阻止直流成分通过;第二组件:对于前述交流电场的频率的电路常数自由变更;及,第三组件:阻止前述偏压的频率成分通过。20.如申请专利范围第9项之电浆处理装置,其中前述第二滤波器具有第一组件:阻止直流成分通过;第二组件:对于前述偏压的频率的电路常数自由变更;及,第三组件:阻止前述高频电场的频率成分通过。21.如申请专利范围第19项之电浆处理装置,其中前述第一滤波器具有屏蔽板:静电或电磁屏蔽前述第一及第二组件和前述第三组件之间。22.如申请专利范围第20项之电浆处理装置,其中前述第二滤波器具有屏蔽板:静电或电磁屏蔽前述第一及第二组件和前述第三组件之间。图式简单说明:图1为显示本发明第一实施形态的蚀刻装置结构之图。图2为显示第一滤波器结构的电路图。图3为显示图1所示的感测器结构之图。图4为显示从上部电极透过基座及滤波器到达接地的第一路径的频率特性之图。图5为显示本发明第二实施形态的蚀刻装置结构之图。图6为显示本发明第三实施形态的蚀刻装置结构之图。图7为显示第二滤波器结构的电路图。图8为显示一体形成第一滤波器和匹配电路的结构之图。图9为显示使用习知电浆处理装置的蚀刻装置一结构例之图。图10为显示在图9所示的蚀刻装置所用的滤波器的频率特性和从上部电极经过基座及滤波器到达接地的路径的频率特性之图。
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