| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体液晶显示器(TFT LCD)用玻璃基板之自动蚀刻装置,主要包括:一蚀刻槽,其内部设置有一多孔性起泡装置,于该起泡装置上侧并设有一击板装置,该蚀刻槽内部注有一处理溶液,用以蚀刻装载于一蚀刻卡匣内之薄膜电晶体液晶显示器用玻璃基板;一第一快速抛洗槽,其内部用以容置装载蚀刻完成之薄膜电晶体液晶显示器用玻璃基板主蚀刻卡匣,其内部并设置有一喷射超纯水之喷洒装置,一位于下部、用以喷射氮气之多孔性起泡装置,以及一上部之击板,用以洗净该玻璃基板;一第二快速抛洗槽,使用与该第一快速抛洗槽相同之方式反覆洗净该第一快速抛洗槽洗净完成之该玻璃基板,以将该玻璃基板表面彻底洗净;以及一乾燥槽,其内部用以容置装载洗净完成之该玻璃基板主蚀刻卡匣,并设有一喷嘴,用以喷射氮气,以乾燥该玻璃基板。2.如申请专利范围第1项所述之自动蚀刻装置,其尚包含将处理药液与超纯水适当地调配为能蚀刻玻璃基板的该处理溶液,然后将该处理溶液供应到访蚀刻槽的处理溶液供应槽;交叉沉淀蚀刻过程中使用过的该处理溶液之再生处理溶液的一对沉淀槽;将该处理溶液之原液交叉供应到该供应槽的一对原液供应装置;以及用以将使用在蚀刻工程的该处理溶液再生,而将该处理溶液过滤的一对过滤器。3.如申请专利范围第1项所述之自动蚀刻装置,其中该蚀刻槽或该第一、第二快速抛洗槽之外壁或底座装设有超音波震动装置及加热装置。4.如申请专利范围第1项所述之自动蚀刻装置,其中该蚀刻槽之下部以倾斜结构形成,以易于排出该蚀刻槽中处理的异物质,并且将被排出的该异物质沉淀或过滤后,得以再使用。5.如申请专利范围第1项所述之自动蚀刻装置,其设置一水囊,用以将超纯水灌满在该蚀刻槽上部外侧,利用该蚀刻槽的外部表面被浸泡于该超纯水中,而避免该处理溶液气体向外部发散;同时设置热交换装置来避免内部压力之上升以及再活用该蚀刻槽内发生的喷雾(Mist)。6.如申请专利范围第1项所述之自动蚀刻装置,其包含一Rib排气装置,以切断该蚀刻槽盖打开时该处理溶液气体泄出。7.如申请专利范围第1项所述之自动蚀刻装置,其尚可包含一冷却水循环的热交换器,以调整供应槽或沉淀槽内部的该处理溶液之温度。8.如申请专利范围第7项所述之自动蚀刻装置,其包含生产供应该冷却水的热交换冷却装置。9.如申请专利范围第1项所述之自动蚀刻装置,其包含一加热该乾燥槽之装置。10.如申请专利范围第1项所述之自动蚀刻装置,其包含一断绝该蚀刻槽内之该处理溶液气体泄出的气体帷幕装置。11.一种薄膜电晶体液晶显示器(TFT LCD)用玻璃基板之自动蚀刻方法,主要包括以下步骤:(A)提供一蚀刻槽,该蚀刻槽内部设置有一多孔性起泡装置,于该起泡装置上侧并设有一击板装置,将一装载薄膜电晶体液晶显示器用玻璃基板主蚀刻卡匣置于该蚀刻槽内,并注入一处理溶液,以蚀刻该玻璃基板;(B)将装载蚀刻完成之薄膜电晶体液晶显示器用玻璃基板主蚀刻卡匣置入一第一快速抛洗槽内部,透过该第一快速抛洗槽内部装设之喷射超纯水之喷洒装置,位于底部、用以喷射氮气之多孔性起泡装置,以及一位于上部之击板,用以洗净该玻璃基板;(C)将于该第一快速抛洗槽洗净完成之该玻璃基板置入一第二快速抛洗槽,并使用与该第一快速抛洗槽相同之方式反覆洗净该第一快速抛洗槽洗净完成之该玻璃基板,以将该玻璃基板表面彻底洗净;以及(D)将装载洗净完成之该玻璃基板之该蚀刻卡匣置入一乾燥槽内,并使用其内部设置的喷嘴喷射氮气,以乾燥该玻璃基板。图式简单说明:第1图系本发明之薄膜电晶体液晶显示器用玻璃基板之自动蚀刻装置简略构图。第2图系包括机械手臂移送蚀刻卡匣的移送路程在内,而按照本发明表示之薄膜电晶体液晶显示器用玻璃基板的自动蚀刻装置之全体结构概略平面图。第3图系第2图本发明之薄膜电晶体液晶显示器用玻璃基板的自动蚀刻装置之全体结构概略侧面图。第4图系本发明薄膜电晶体液晶显示器用玻璃基板的自动蚀刻装置的蚀刻槽构造的概略性剖视图。第5图系第4图本发明薄膜电晶体液晶显示器用玻璃基板的自动蚀刻装置的蚀刻槽外部结构斜视图。第6图系安装在本发明的蚀刻槽下部,为均匀分散地供应氮气气体,而简略表示的起泡装置机构斜视图。第7图系安装在本发明的蚀刻槽下部、起泡装置上部,为均匀分散地供应氮气气体的击板的简略平面图。 |
