| 主权项 |
1.一种用以消除一具有一临界尺寸之光阻影像之近接效应的制程,至少包含:提供具有一可调整的数値孔隙及一可变的部分同调値之一映像系统;侦测该数値孔隙及该部分同调値之最佳条件値,因此光学起因之近接效应被消除;侦测一曝光后烘烤温度之最佳条件値,因此有关于该光阻之近接效应被消除;以及使用该数値孔隙、部分同调値及曝光后烘烤温度之该最佳条件値,形成该光阻影像。2.如专利申请范围第1项之制程,其中上述之最佳数値孔隙约在0.5至0.7之间。3.如专利申请范围第1项之制程,其中上述之最佳部分同调値约在0.6至0.9之间。4.如专利申请范围第1项之制程,其中上述之最佳曝光后烘烤温度约在60至100℃之间。5.如专利申请范围第1项之制程,其中上述之侦测上述之数値孔隙及上述之部分同调値之最佳条件之步骤为透过模拟而达成。6.如专利申请范围第1项之制程,其中上述之使用最佳同调値利用修改的AERIAL照明器(ASM步进器)或以放大过渡器尺寸(Nikon步进器)而达成。7.如专利申请范围第1项之制程,其中上述之临界尺寸约在0.18至0.35微米之间。8.如专利申请范围第1项之制程,其中上述之映像系统使用光化性放射线具有一波长约在l830至3650之间。9.如专利申请范围第1项之制程,其中上述之光阻选自包括t-BOC系列光阻之族群。图式简单说明:图1a-1c说明近接效应如何扭曲一光阻影像中线之形状及尺寸。图2描绘一系列不同PEB温度之CD对线距/线宽比图。图3显示一系列部分同调参数不同値之CD对线距/线宽比之曲线图。图4显示使用制造商建议之曝光后烘烤温度之部分同调参数几个不同値之CD对线距/线宽比之实验数据。图5显示使用依据本发明之主张所测定之曝光后烘烤温度,其部分同调参数几个不同値之CD对线距/线宽比之实验数据。 |
