| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Braggschen Gitters in einer Halbleiterschichtenfolge eines Halbleiterkörpers mit den zugehörigen Schichtdicken und Brechungsindices mittels Ätzen. Die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und ein Bauelement zu entwickeln, mit dem Braggsche Gitter mit Tastverhältnissen, die deutlich von 1/2 verschieden sind, mit holografischer Belichtung hergestellt werden können, und mit dem eine genaue Einstellung und Kontrolle des Tastverhältnisses des Braggschen Gitters ohne die Maskierungsschicht im gleichen Tastverhältnis zu strukturieren und ohne die Verwendung bzw. Veränderung einer Elektronenstrahlbelichtung gewährleistet wird, wird dadurch gelöst, dass Schichtdicken und Brechungsindices einer Halbleiterschichtenfolge, in die das Braggsche Gitter geätzt wird, so gewählt werden, ein definiertes Tastverhältnis und eine definierte Differenz der effektiven Brechzahlen eingestellt wird.</p> |
