| 主权项 |
1.一种半导体元件之铜导线镶嵌制程,包含下列步骤:于一半导体基板上形成至少一介电层及至少一金属导线层,且该介电层包含至少一沟渠及至少一介层洞;沈积一第一金属阻障层于该介电层及该金属导线层;覆盖一铜金属层于该第一金属阻障层;进行表面平坦化至曝露出该介电层为止;形成一第二金属阻障层于该铜金属层上及形成一氮化物层于该介电层上;以及覆盖一介电质盖层。2.如申请专利范围第1项之铜导线镶嵌制程,其中该第二金属阻障层系由氮化钨组成。3.如申请专利范围第2项之铜导线镶嵌制程,其中该氮化钨层系先利用WF6和SiH4气体反应形成一钨金属层,再利用氮气电浆反应而成。4.如申请专利范围第2项之铜导线镶嵌制程,其中该氮化钨层系先利用WF6和SiH4气体反应形成一钨金属层,再利用氨气电浆反应而成。5.如申请专利范围第2项之铜导线镶嵌制程,其中该氮化钨层系利用WF6.SiH4及N2气体反应而成。6.如申请专利范围第2项之铜导线镶嵌制程,其中该氮化钨层系利用WF6.SiH4及NH3气体反应而成。7.如申请专利范围第1项之铜导线镶嵌制程,其中该介电层及介电质盖层系由低介电常数之材质组成。8.如申请专利范围第1项之铜导线镶嵌制程,其中该介电层系由具有低介电常数的矽酸盐类材质组成。9.如申请专利范围第1项之铜导线镶嵌制程,其中该介电质盖层系由碳化矽组成。10.如申请专利范围第1项之铜导线镶嵌制程,其中该第一金属阻障层系由氮化钽组成。11.如申请专利范围第1项之铜导线镶嵌制程,其中该氮化物层系由氮氧化矽组成。12.如申请专利范围第1项之铜导线镶嵌制程,其系利用化学机械研磨技术进行平坦化。13.如申请专利范围第3项之铜导线镶嵌制程,其中于形成该钨金属层前,先行通入SiH4气体1-3分钟。14.如申请专利范围第3项之铜导线镶嵌制程,其中该WF6和SiH4气体流量分别介于40-100sccm及60-150sccm,且于300-400℃下进行反应。15.如申请专利范围第5项之铜导线镶嵌制程,其中该WF6.SiH4及N2之气体流量分别介于40-100sccm、60-150sccm及20-50sccm,且于300-400℃下进行反应。16.如申请专利范围第1项之铜导线镶嵌制程,其中该介电层系由FSG组成。17.如申请专利范围第1项之铜导线镶嵌制程,其中该介电层系由HSQ组成。18.如申请专利范围第1项之铜导线镶嵌制程,其中该介电层系由MSQ组成。19.如申请专利范围第1项之铜导线镶嵌制程,其中该介电层系由HOSP组成。20.如申请专利范围第1项之铜导线镶嵌制程,其中该介电层系由SiOC组成。图式简单说明:图1(a)至图1(d)系习知之铜导线镶嵌制程;以及图2(a)至图2(e)系本发明之铜导线镶嵌制程。 |
