| 主权项 |
1.一种III族氮化物发光装置,其包含:一基板;一n型区域,其覆盖该基板;一反应区域,其覆盖该n型区域;及一含有铟的梯度平滑区域,该梯度平滑区域系位在该基板与该反应区域之间;其中该梯度平滑区域包含一单调地梯度组成。2.如申请专利范围第1项之发光装置,进一步包含一位在该梯度平滑区域及该反应区域之间的一间隔物层,其中该间隔物层具有一大体上固定的组成。3.如申请专利范围第2项之发光装置,其中该间隔物层系由掺杂的GaN、掺杂的InGaN、掺杂的AlGaN、掺杂的AlInGaN、未掺杂的GaN、未掺杂的InGaN、未掺杂的AlGaN及未掺杂的AlInGaN中选出。4.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该梯度的平滑区域包含一梯度的铟组成。5.如申请专利范围第4项之发光装置,其中:该梯度的平滑区域在该梯度平滑区域的一第一部份中具有一第一铟组成,及在该梯度平滑区域的一第二部份中具有一第二铟组成;该第一部份比该第二部份更靠近于该n型区域,而该第二部份比该第一部份更靠近于该反应区域;及该第一组成系大于该第二组成。6.如申请专利范围第4项之发光装置,其中:该平滑区域在该梯度平滑区域的一第一部份中具有一第一铟组成,及在该梯度平滑区域的一第二部份中具有一第二铟组成;该第一部份比该第二部份更靠近于该n型区域,而该第二部份比该第一部份更靠近于该反应区域;及该第一组成系小于该第二组成。7.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该梯度的平滑区域进一步包含:一具有一固定组成的第一部份;及一具有一梯度组成的第二部份。8.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该基板具有一生长表面,其系与该基板的一结晶平面误方向。9.如申请专利范围第8项之发光装置,其中该基板为蓝宝石,该结晶平面为c平面,而该生长表面系与该c平面有约0.2到约2的错位。10.一种III族氮化物发光装置,其包含:一基板;一n型区域,其覆盖该基板;一反应区域,其覆盖该n型区域;及一含有铟的梯度平滑区域,该梯度平滑区域系位在该基板与该反应区域之间;其中该梯度平滑区域包含一梯度超晶格,该梯度超晶格包含:一第一组超晶格层,其中该第一组超晶格层的组成会横跨该第一组超晶格层来改变;及一第二组超晶格层,其中该第二组超晶格层的组成会横跨该第二组超晶格层来改变;其中来自该第一组超晶格层交替于来自该第二组超晶格层。11.如申请专利范围第10项之发光装置,其中:该第一组超晶格层的组成会横跨该第一组超晶格层而增加;及该第二组超晶格层的组成会横跨该第二组超晶格层而增加。12.如申请专利范围第10项之发光装置,其中:该第一组超晶格层的组成会横跨该第一组超晶格层而增加;及该第二组超晶格层的组成会横跨该第二组超晶格层而降低。13.一种III族氮化物发光装置,其包含:一基板;一n型区域,其覆盖该基板;一反应区域,覆盖该n型区域;及一含有铟的梯度平滑区域,该梯度平滑区域系位在该基板与该反应区域之间;其中该梯度平滑区域包含一梯度的掺杂物浓度。14.如申请专利范围第13项之发光装置,进一步包含一位在该梯度平滑区域及该反应区域之间的一间隔物层,其中该间隔物层具有一大体上固定的掺杂物浓度。15.如申请专利范围第14项之发光装置,其中该间隔物层系由掺杂的GaN、掺杂的InGaN、掺杂的AlGaN、掺杂的AlInGaN、未掺杂的GaN、未掺杂的InGaN、未掺杂的AlGaN及未掺杂的AlInGaN中选出。16.如申请专利范围第13项之发光装置,其中该梯度的平滑区域包含一梯度的矽浓度。17.如申请专利范围第13项之发光装置,其中:该平滑区域在该平滑区域的一第一部份中具有一第一掺杂物浓度,及该平滑区域的一第二部份中具有一第二掺杂物浓度;该第一部份比该第二部份更靠近于该n型区域,而该第二部份比该第一部份更靠近于该反应区域;及该第一掺杂物浓度系大于该第二掺杂物浓度。18.如申请专利范围第13项之发光装置,其中:该平滑区域在该平滑区域的一第一部份中具有一第一掺杂物浓度,及该平滑区域的一第二部份中具有一第二掺杂物浓度;该第一部份比该第二部份更靠近于该n型区域,而该第二部份比该第一部份更靠近于该反应区域;及该第一掺杂物浓度系小于该第二掺杂物浓度。19.如申请专利范围第13项之发光装置,其中该平滑区域进一步包含:一具有一固定掺杂物浓度的第一部份;及一具有一梯度掺杂物浓度的第二部份。20.如申请专利范围第13项之发光装置,其中该梯度的平滑区域包含一梯度的组成。21.如申请专利范围第13项之发光装置,其中该基板具有一生长表面,其系与该基板的一结晶平面错位。22.如申请专利范围第13项之发光装置,其中该基板为蓝宝石,该结晶平面为c平面,而该生长表面系与该c平面有约0.2到约2的错位。23.一种形成III族氮化物发光装置的方法,该方法包含:生长一n型区域,以覆盖一基板;生长一反应区域,以覆盖该n型区域的;生长一含有铟的平滑区域,其在该反应区域及该基板之间;单调地改变该平滑区域的一组成及一掺杂物浓度中的一个。24.如申请专利范围第23项之方法,进一步包含在该平滑区域及该反应区域之间生长一间隔物层,其中该间隔物层具有一大体上固定的组成及掺杂物浓度。25.如申请专利范围第23项之方法,其中改变该平滑区域的一组成及一掺杂物浓度中的一个包含藉由在该生长一平滑区域期间改变一生长温度来改变在该平滑区域中的一铟组成。26.如申请专利范围第23项之方法,其中改变该平滑区域的一组成及一掺杂物浓度中的一个包含藉由在该生长一平滑区域期间改变一含有铟的前驱物气体相对于一含有镓的前驱物气体之流动速率比例来改变在该平滑区域中的一铟组成。27.如申请专利范围第23项之方法,其中改变该平滑区域的一组成及一掺杂物浓度中的一个包含藉由在该生长一平滑区域期间改变一生长温度,及一含有铟的前驱物气体相对于一含有镓的前驱物气体之流动速率比例来改变在该平滑区域中的一铟组成。28.如申请专利范围第23项之方法,其中改变该平滑区域的一组成及一掺杂物浓度中的一个包含藉由在该生长一平滑区域期间改变一含有掺杂物的前驱物气体与一III族流动速率的一流动速率比例来改变在该平滑区域中的一掺杂物浓度。图式简单说明:图1所示为根据本发明之具有一平滑层与一间隔物层的LED。图2所示为具有形成在该平滑层上的n接点之LED。图3所示为图1所示之该装置的叠层之导电带边缘能量。图4所示为本发明一具体实施例之反应区域,间隔物层及平滑层。图5所示为具有一梯度平滑区域的LED。图6A所示为在该平滑区域中具有及不具有组成梯度之装置的铟组成。图6B所示为在该平滑区域中具有及不具有掺杂物浓度梯度之装置的掺杂物组成。图6C所示为梯度轮廓的六个范例。图7所示为一组成超晶格平滑结构。图8所示为图1,2及5之n型区域的范例。图9所示为具有及不具有一平滑层之装置的相对外部量子效率。图10所示为具有及不具有一平滑层之装置的相对外部量子效率。图11A及11B所示为III族LED多重量子井反应区域的原子力显微表面之显微照相。图12所示为根据本发明之具体实施例中加入LEDs之显示装置。图13所示为具有结合一刻意误方向基板之平滑层的该装置之相对外部量子效率。 |
