| 主权项 |
1.一种制造接触插塞之方法,该方法包括下列步骤:提供具有一导电区形成于其上之一半导体基底;形成一介电层于该基底上;形成一接触开口于该介电层上,其中该导电区系露出于该接触开口内;形成一第一耐火金属层于该介电层与该接触开口上,其中该第一耐火金属层当成一金属阻障层;形成一第二耐火金属层于该第一耐火金属层上,其中该第二耐火金属层系利用金属有机化学气相沉积法而形成;进行一第一电浆处理以将该第二耐火金属层转换成一第一金属氮化物阻障层;进行一热处理以触发该第一耐火金属层与该导电区中之该矽间之反应以形成一金属矽化物于该导电区上;形成一第三耐火金属层于该第一金属氮化物阻障层上,其中该第三耐火金属层系利用金属有机化学气相沉积法而形成;进行一第二电浆处理以将该第三耐火金属层转换成一第二金属氮化物阻障层;以及形成一导体层于该第二金属氮化物阻障层上而填满该接触开口。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该热处理包括一快速热处理(RTP)。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该RTP系进行于550-750℃温度下,且持续3-60秒。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一与第二电浆处理包括:包含氮气与氢气之电浆气体。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二与第三耐火金属层之厚度系120-160埃。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一与第二金属氮化物阻障层之厚度系40-60埃。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在形成该第一耐火金属层之步骤前更包括一预清洗步骤。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该预清洗步骤使用包含氩气之一电浆气体。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导体层之该材质系由包括铜、铝与钨与其合金之群组中所选择出。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二与第三耐火金属层之材质包括钛或钽。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电区系一源极/汲极区或一闸极结构。12.一种制造接触插塞之方法,该方法包括下列步骤:提供具有一导电区形成于其上之一半导体基底;形成一介电层于该基底上;形成一接烛开口于该介电层上,其中该导电区系露出于该接触开口内;形成一第一耐火金属层于该介电层与该接触开口上,其中该第一耐火金属层当成一金属阻障层;形成一多层金属氮化物阻障层,其中该多层金属氮化物阻障层系利用沉积一第二耐火金属层与接续之一第一电浆气体处理之多重循环而形成,其中该第二耐火金属层系利用金属有机化学气相沉积法而形成;进行一热处理以触发该第一耐火金属层与该导电区中之该矽间之反应以形成一金属矽化物于该导电区上;形成一第三耐火金属层于该多层金属氮化物阻障层上,其中该第三耐火金属层系利用金属有机化学气相沉积法而形成;进行一第二电浆处理以将该第三耐火金属层转换成一金属氮化物阻障层;以及形成一导体层于该金属氮化物阻障层上而填满该接触开口。13.如申请专利范围第12项所述之方法其中该热处理包括一快速热处理(RTP)。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该RTP系进行于550-750℃温度下,且持续3-60秒。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一与第二电浆处理包括:包含氮气与氢气之电浆气体。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该导体层之该材质系由包括铜、铝与钨与其合金之群组中所选择出。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第二与第三耐火金属层之材质包括钛或钽。18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该导电区系一源极/汲极区或一闸极结构。图式简单说明:第1至9图绘示根据本发明之第一较佳实施例之制造接触插塞步骤之剖面图。第10至14图绘示根据本发明之第二较佳实施例之制造接触插塞步骤之剖面图。 |
