| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein Halbleitersubstrat (1) aus einem Halbleitermaterial mit räumlich geätzten Strukturen, insbesondere von Trench-Strukturen für Halbleiterspeicherzellen. Zunächst wird eine Tiefenstruktur in einer Oberfläche (2) des Halbleitersubstrats (1) erzeugt. Anschließend wird eine ätzresistente Schicht (5) in einem Bereich (4) einer Seitenwand der Tiefenstruktur abgeschieden, so dass bei nachfolgenden Ätzschritten die Seitenwand im Wesentlichen nicht geätzt wird. Anschließend wird ein Ätzmittel in die Tiefenstruktur eingebracht und ein Potenzialfeld in dem Halbleitersubstrat (1) angelegt. Dadurch wird eine räumliche Struktur, ausgehend von einem nicht von der ätzresistenten Schicht (5) bedeckten Bereich der Tiefenstruktur, geätzt, wobei die räumliche Struktur abhängig von dem Potenzialfeld ist.
|
