Verfahren für die Vergrößerung der Oberfläche in der Halbleiterfertigung

摘要

Es wird ein Verfahren für die Erhöhung des Flächeninhalts einer ursprünglichen Oberfläche in einer Halbleitervorrichtung offenbart. In einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung umfaßt das Verfahren das Bilden einer Schichtmaske (27) auf der ursprünglichen Oberfläche, wobei die Schichtmaske auf ihrer Oberseite eine Maskierungsschicht (26) mit veränderlicher Dicke besitzt. Auf die Schichtmaske (27) wird eine isotrope Ätzung angewendet, die freigelegte Abschnitte der ursprünglichen Oberfläche entfernt, wenn die Schichtmaske (27) entfernt worden ist. Dadurch erhöht die isotrope Ätzung die Ungleichmäßigkeit der Maskierungsschicht (26) und erzeugt eine Ungleichmäßigkeit in der Planarität der ursprünglichen Oberfläche.