| 发明名称 | 布线结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)及ARL膜(110)上形成多个布线用沟槽(111)，然后，在ARL膜(110)上依次堆积能够将各布线用沟槽(111)完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(112))与布线用导电膜(铜膜(113)及(114))。其后，在通过研磨除去了各布线用沟槽(111)外侧的铜膜(113)及(114)之后，再通过研磨，除去各布线用沟槽(111)外侧的氮化钽膜(112)。之后，在除去了在研磨时基板(100)上粘附的异物之后，使用与在铜膜(113)及(114)的研磨工序中所使用的相同种类的研磨剂对ARL膜(110)的表面进行研磨。从而可防止在绝缘膜以及绝缘膜上的ARL膜中埋入的布线之间的短路。 | ||
| 申请公布号 | CN1428843A | 申请公布日期 | 2003.07.09 |
| 申请号 | CN02156991.6 | 申请日期 | 2002.12.24 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 滨中雅司;原田刚史;吉田英朗;上田哲也 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种布线结构的形成方法，其特征在于：包括：在绝缘膜上形成防止反射膜，然后在所述防止反射膜及所述绝缘膜上，形成第1沟槽及与所述第1沟槽相邻的第2沟槽的沟槽形成工序；在所述防止反射膜上依次堆积屏障金属膜与布线用导电膜，并使其掩埋所述第1沟槽与所述第2沟槽的膜堆积工序；通过研磨，除去所述第1沟槽外侧及所述第2沟槽外侧的所述布线用导电膜的第1研磨工序；在所述第1研磨工序之后，通过研磨，除去所述第1沟槽外侧及所述第2沟槽外侧的所述屏障金属膜的第2研磨工序；在所述第2研磨工序之后，除去所述被研磨面上粘附的异物的异物除去工序；以及在所述异物除去工序之后，使用与在所述第1研磨工序中相同种类的研磨剂对所述防止反射膜的表面进行研磨的第3研磨工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||